【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种组件，该组件包括相互层叠的、具有半导体部件的第一装置和第二装置，该半导体部件包含相対的导电球。
技术介绍
图I是示意性地显示了组件的截面图，组件包括层叠的、具有半导体部件的第一装置和第二装置，分别为装置I (下层装置)和装置2 (上层装置)。装置I和装置2每个均包括密封在封装体中的半导体芯片，分别为半导体芯片3和半导体芯片4。芯片3和芯片4的每个均由例如由硅制成的半导体衬底形成。通常减薄这些衬底以使得芯片厚度不超过100 μ m至200 μ m之间。在本领域中，这些组件在本领域中通常命名为PoP，“封装体上封装体”。作为示例，下层芯片3包括微处理器，而上层芯片4包括微处理器可以访问的存储器组件。 装置I的封装体包括支撑晶片5，芯片3组装在支撑芯片5的上表面上。晶片5在顶视图中具有比芯片3大的多的表面积。晶片5 g在支撑允许将芯片3连接至上层装置2的导电球。晶片5通常由有机材料制成，并且可以包括(例如由铜制成的)各种金属化层。上层包括接触区域(具体地，_在接收导电球)。在晶片5的上表面上附接有g在提供至上层装置2的连接的球7。在顶视图中，球7布置在围...
【技术保护点】
一种具有半导体部件的层叠装置的组件，其特征在于，该组件包括层叠在彼此之上的、具有所述半导体部件的第一装置(1)和第二装置(2)，所述半导体部件包括相对的导电球(7，7’)，所述组件包括在所述第一装置(1)上的至少一个树脂图形(31)，所述树脂图形具有框架或者框架的一部分的形状，所述树脂图形以小于或等于所述球的直径的一半的非零距离靠近至少一些所述导电球(7)，并且所述树脂图形的高度大于所述球的高度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·维蒂，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：实用新型
国别省市：
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