【技术实现步骤摘要】
本技术属于多晶硅生产
，特别是西门子法生产多晶硅的多晶硅还原炉节能方法及装置，包括装有多晶硅插片隔热层的多晶硅还原炉节能装置。
技术介绍
多晶硅在电子领域及太阳能领域有着广发的应用，目前国内外多晶硅生产企业主要采用“改良西门子法”。该方法的生产流程是利用氯气和氢气合成氯化氢(或外购氯化氢)，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行精馏分离提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后，在一定的温度和压力下通入多晶硅还原炉内，在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅，反应温度控制在1080°C 1150°C，最终生成棒状多晶硅产品，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。其中多晶硅还原炉内三氯氢硅和氢气需要在1080°C 1150°C的高温下进行反应，高温硅芯棒通过辐射向还原炉内壁传热，使得内壁温度升高，当内壁温度高于575°C时，炉壁上开始沉积无定型硅，为此需要引入冷却介质对壁面进行冷却。由于冷却介质带走的大量热量来自通电的硅棒，从而造成了还原炉的能量损失，因此很多厂家采用内壁抛光来降低辐射传热，希望减少炉体内部的能量损失以实现节能的目的...
【技术保护点】
一种装有多晶硅插片隔热层多晶硅还原炉节能装置，包括含夹套冷却水装置的双层炉体（1）、不锈钢管（2）、开有凹槽的不锈钢板（3）、还原炉底盘（4）、环形进气管（5）、底盘进气口（6）、多晶硅插片（7）、螺栓；其特征是不锈钢管和多晶硅插片组成的隔热层与炉体的内壁的间距为25~250mm；隔热层与炉体内壁连接，炉体通过法兰固定在底座上；底座上装有底盘进气口，氢气或者四氯氢硅气体由底盘进气口进入环形进气管，环形进气管上开有方口，氢气或者四氯氢硅气体由环形进气管进入炉体与隔热层之间的空隙，并充满空隙；炉体装有夹套冷却水装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘春江，段连，黄哲庆，郄思远，周阳，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：实用新型
国别省市：
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