一种薄膜沉积装置及方法制造方法及图纸

技术编号:8128539 阅读:169 留言:0更新日期:2012-12-26 23:50
本发明专利技术公开一种薄膜沉积装置及方法,薄膜沉积装置用于在衬底上形成薄膜层,包括加热由载气携带的沉积材料的加热模块和向所述加热模块供料的进料总管,所述加热模块包括将所述载气及所述载气携带的沉积材料加热形成混合气体的加热部件及套设在所述加热部件外部的外壳体,所述外壳体与所述加热部件之间形成密封的腔体,所述外壳体开设有使所述混合气体喷出以在所述衬底上形成薄膜层的喷涂口,所述加热部件与所述外壳体之间还设有套在所述加热部件外的扩散管,所述扩散管与所述加热部件之间形成加热腔,所述扩散管具有允许所述混合气体通过的扩散孔。本发明专利技术克服了现有的薄膜沉积装置的成膜厚度不一致的缺点,提供一种成膜厚度一致的薄膜沉积装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及镀膜领域,具体为。
技术介绍
在镀膜领域,VTD是一种广泛应用的薄膜沉积系统,使用该系统可使薄膜沉积速度快,成膜质量高。喷涂源是该系统最为关键的部件之一,专利号为US6037241的美国专利文献公开了一种半导体材料沉积方法和装置,该装置的喷涂源包括一可渗透的加热元件,气体携带半导体材料通过该可渗透的加热部件时,生成一种气体,该气体在玻璃板上沉积为半导体层。该可渗透元件是管状的,沿其长度方向被加有电压以提供热量,气体和粉末状的半导体被引进管状的可渗透元件并以气体形态从可渗透元件向外流出。环绕管状可渗透元件设有一罩体,罩体设有一开口,气体通过该开口流出以进行半导体层沉积。公开号为 US20090246940A1的美国专利文献公开了一种在底板上沉积材料的系统及方法,该系统的喷涂源包括一套管,例如一陶瓷材料的套管,一加热器及一进料管。一陶瓷套管套在加热器夕卜,加热器可为可渗透的加热器,加热器内设有进料管。套管可包括一个或多个分散孔,以在底板上提供半导体层。以上两种薄膜沉积系统的喷涂源,气体进入加热部件被加热后从加热部件扩散出来,即加热部件和渗透扩散部件为同一部件,一般采用碳化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜沉积装置,用于在衬底上形成薄膜层,包括加热由载气携带的沉积材料的加热模块和向所述加热模块供料的进料总管,所述加热模块包括将所述载气及所述载气携带的沉积材料加热形成混合气体的加热部件及套设在所述加热部件外部的外壳体,所述外壳体与所述加热部件之间形成密封的腔体,所述外壳体开设有使所述混合气体喷出以在所述衬底上形成薄膜层的喷涂口,其特征在于:所述加热部件与所述外壳体之间还设有套在所述加热部件外的扩散管,所述扩散管与所述加热部件之间形成加热腔,所述扩散管具有允许所述混合气体通过的扩散孔。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积装置,用于在衬底上形成薄膜层,包括加热由载气携带的沉积材料的加热模块和向所述加热模块供料的进料总管,所述加热模块包括将所述载气及所述载气携带的沉积材料加热形成混合气体的加热部件及套设在所述加热部件外部的外壳体,所述外壳体与所述加热部件之间形成密封的腔体,所述外壳体开设有使所述混合气体喷出以在所述衬底上形成薄膜层的喷涂口,其特征在于所述加热部件与所述外壳体之间还设有套在所述加热部件外的扩散管,所述扩散管与所述加热部件之间形成加热腔,所述扩散管具有允许所述混合气体通过的扩散孔。2.根据权利要求I所述的薄膜沉积装置,其特征在于所述加热部件为两端接有电极的圆柱状加热棒,所述电极与外部电源相连接,所述外壳体和所述扩散管均为与所述加热棒同轴的圆管状。3.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置,其特征在于所述扩散管外壁缠绕有用于加热的电阻丝。4.根据权利要求2或3所述的薄膜沉积装置,其特征在于所述扩散管与所述加热部件之间的所述加热腔内还设有多个进料管,多个所述进料管环绕所述加热部件均匀设置,每个所述进料管的轴线均与所述加热棒的轴线平行,所述进料管与所述进料总管相连通,所述进料管位于加热部件和扩散管之间的部分具有多个使所述载气和沉积材料从所述进料管进入所述扩散管与所述加热部件之间的小孔,多个所述小孔在所述进料管的管壁上呈阵列排列。5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置,其特征在于所述小孔的直径为O.5_-10_。6.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置,其特征在于相邻的两个所述小孔之间的距离为 5m...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒋猛刘志强何吉刚
申请(专利权)人:无锡尚德太阳能电力有限公司四川尚德太阳能电力有限公司
类型:发明
国别省市:

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