超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置，主要包括有具有真空室、沉积厚膜的TFT基片、基片温度控制仪、真空抽气泵、循环冷却水管、膜原料蒸发管及其水浴加热槽超声波产生器。本实用新型专利技术的装置结构简单，易于操作，可重复使用；特别适合于制备较大面积的探测器级碘化汞薄膜。本实用新型专利技术属于真空蒸发厚膜生长领域，涉及熔点或升华温度低于200摄氏度材料的厚膜的生长，特别是一种作为χ射线、γ射线探测器的碘化汞厚膜的生长系统，属物理气相沉积技术领域。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置，特别是ー种C射线、g射线探测器用的多晶碘化汞厚膜的气相沉积系统装置，属物理气相沉积技术及核探測器制备

技术介绍
碘化汞(HgI2)晶体是II 一 VI族化合物半导体，室温下为红色；其禁带宽度大(约2.13eV)、室温下热激发产生的载流子数目少；平均原子序数高、对X、Y射线有很高的阻止、电离效率高；是目前制作室温半导体核辐射探測器的优良材料，由于碘化汞单晶体生长成本高，而且不容易获得大面积的单晶体，目前国际研究的热点是对于碘化汞厚膜的生长。碘化汞厚膜的生长方法有(I)溶液法在不同溶剂的碘化汞饱和溶液中沉积碘化汞薄膜；·[2]粘结剂法(particle-in-binder):用粘结剂将碘化萊粉末粘结在称底上,然后除去粘结齐U。(3):物理气相沉积法(PVD):在真空状态下，受热后碘化汞分子离开其表面，沉积在基片上。真空蒸发(vacuum evaporation)厚膜生长技术，又可称为真空物理气相沉积(vacuum physical vapour d印osition),就是在真空容器中把材料加热到使大量的原子或分子离本文档来自技高网...

【技术保护点】
超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置，主要包括有真空室（10）、沉积厚膜的TFT基片（5）、基板温度控制仪（9）、真空抽气泵（7）、循环冷却水管（6）、源料蒸发管（3）及其水浴加热槽（2）超声波产生器（11）；其特征在于：真空室（10）其上部设有磨砂石英顶盖（8），下部连接有盛放膜原料物质（1）的蒸发管（3），在真空室（10）的底部与蒸发管（3）连接处的肩部形成—圆形腔体平台，在该腔体平台上面放有—中间开有圆孔的隔热板（4），隔热板（4）上面设置有—沉积厚膜的TFT基片（5）；源料物质（1）蒸发后即沉积于该基片（5）的下表面上；接有热电偶和加热引线的基板温度控制仪（9）紧贴于玻璃基片...

【技术特征摘要】
1.超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置，主要包括有真空室(10)、沉积厚膜的TFT基片(5)、基板温度控制仪(9)、真空抽气泵(7)、循环冷却水管(6)、源料蒸发管(3)及其水浴加热槽(2)超声波产生器(11);其特征在于真空室(10)其上部设有磨砂石英顶盖(8)，下部连接有盛放膜原料物质(I)的蒸发管(3)，在真空室(10)的底部与蒸发管(3)连接处的肩部形成一圓形腔体平台，在该腔体平台上面放有一中间开有圆孔的隔热板(4)，隔热板(4)上面设置有一沉积厚膜的TFT基片(5);源料物质(I)蒸发后即沉积于该基片(5 )的下表面上；接有热电偶和加热引线的基板温度控制仪(9 )紧贴于玻璃基片(5 )的上表面，实现平面接触以对玻璃基片(5 )加热；基片温度控制仪(9 )上的热电偶和加热引线通过钨丝引出，通过对程序的设...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘功龙，史伟民，吕燕芳，廖阳，杨伟光，袁安东，瞿晓雷，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：实用新型
国别省市：