一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备，包括真空室和蒸发器，蒸发器下方设置有主动轴和从动轴，主动轴带动基材通过蒸发器下的蒸发区，并对通过蒸发区基材进行卷取，通过蒸发区的基材只需要卷在主动轴上便可，不需要反复的打开真空室来拿出基材，提高镀膜的效率。本实用新型专利技术还公开了制备OLED导电层的方法，其包括以下步骤：(1)将OLED基材卷在从动轴上，基材穿过托辊与冷却辊之间，然后连接在主动轴上；(2)对真空室进行抽真空，保持真空度30-50Pa；(3)开启蒸发器；(4)启动电机带动主动轴，保持基材匀速行走；(5)主动轴在带动OLED基材行走的同时，对OLED基材进行卷取；(6)蒸发完毕时，关闭蒸发器及主动轴电机，开启真空室，取出基材。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备和利用上述设备制备OLED导电层的方法。
技术介绍
蒸发式真空镀膜是通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和 时间(或决定于装料量)，并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。在上述的镀膜过程中，镀膜需要在真空过程中，在一次次的镀膜过程中，需要多次抽真空，然后打开真空室，再次抽真空、镀膜，打开真空室，如此反复，很不方便。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种镀膜效率高的半导体薄膜材料的真空蒸发设备和利用上述设备制备OLED导电层的方法。为了解决上述的技术问题，本技术的技术方案是一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备，包括真空室和真空室内的蒸发器，所述蒸发器下方设置有主动轴和从动轴，所述主动轴带动从动轴上的半导体薄膜材料基材通过蒸发器下的蒸发区，并对通过蒸发区的半导体薄膜材料基材进行卷取。在所述主动轴和从动轴之间设置有冷却辊，所述冷却辊两边设置有托辊，从动轴上的半导体薄膜材料基材在托辊与冷却辊之间穿过与主动轴连接。在所述冷却辊的上方设置有隔板，所述隔板将蒸发器的蒸发区隔离。利用上述半导体薄膜材料的真空蒸发设备制备OLED导电层的方法，其包括以下步骤(I)将OLED基材卷在从动轴上，OLED基材穿过托辊与冷却辊之间，然后连接在主动轴上；(2)对真空室进行抽真空，保持真空度30_50Pa ；(3)开启蒸发器，蒸发器表面温度升高到960-1050°C，保持5_10分钟；(4)启动电机带动主动轴，保持OLED基材的匀速行走，行走速度为0. 16-lmm/s ；(5)主动轴在带动OLED基材行走的同时，对OLED基材进行卷取；(6)在对从动轴上的OLED基材蒸发完毕时，关闭蒸发器及主动轴电机，经过10-15分钟后，开启真空室，取出已形成有导电层的OLED基材。本技术在镀膜过程中，通过蒸发区的基材只需要卷在主动轴上便可，不需要反复的打开真空室来拿出基材，提高镀膜的效率。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。附图为本技术半导体薄膜材料的真空蒸发设备的结构示意图。具体实施方式如附图所示，一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备，包括真空室I和真空室I内的蒸发器7，所述蒸发器7下方设置有主动轴2和从动轴3，所述主动轴2带动从动轴3上的半导体薄膜材料基材8通过蒸发器7下的蒸发区，并对通过蒸发区的半导体薄膜材料基材 8进行卷取。在所述主动轴2和从动轴3之间设置有冷却辊4，所述冷却辊4两边设置有托辊5，从动轴3上的半导体薄膜材料基材8在托辊5与冷却辊4之间穿过与主动轴2连接。为了防止污染，在所述冷却辊4的上方设置有隔板6，所述隔板6将蒸发器7的蒸发区隔离。在镀膜过程中，通过蒸发区的基材只需要卷在主动轴2上便可，不需要反复的打开真空室来拿出基材，提高镀膜的效率。利用上述半导体薄膜材料的真空蒸发设备制备OLED导电层的方法，其包括以下步骤(I)将OLED基材卷在从动轴3上，OLED基材穿过托辊5与冷却辊4之间，然后连接在主动轴2上；(2)对真空室I进行抽真空，保持真空度30_50Pa ；(3)开启蒸发器7，蒸发器表面温度升高到960-1050°C，保持5_10分钟；(4)启动电机，带动主动轴2，保持OLED基材的匀速行走，行走速度为0. 16-lmm/s ；(5)主动轴2在带动OLED基材行走的同时，对OLED基材进行卷取；(6)在对从动轴3上的OLED基材蒸发完毕时，关闭蒸发器7电源及主动轴2电机，经过10-15分钟后，开启真空室1，取出已形成有导电层的OLED基材。上述实施例不以任何方式限制本技术，凡是采用等同替换或等效变换的方式获得的技术方案均落在本技术的保护范围内。权利要求1.一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备，包括真空室(I)和真空室(I)内的蒸发器(7)，其特征在于所述蒸发器(7)下方设置有主动轴(2)和从动轴(3)，所述主动轴(2)带动从动轴(3)上的半导体薄膜材料基材(8)通过蒸发器(7)下的蒸发区，并对通过蒸发区的半导体薄膜材料基材(8)进行卷取。2.根据权利要求I所述的半导体薄膜材料的真空蒸发设备，其特征在于在所述主动轴⑵和从动轴(3)之间设置有冷却辊(4)，所述冷却辊(4)两边设置有托辊(5)，从动轴(3)上的半导体薄膜材料基材(8)在托辊(5)与冷却辊(4)之间穿过与主动轴(2)连接。3.根据权利要求2所述的半导体薄膜材料的真空蒸发设备，其特征在于在所述冷却辊(4)的上方设置有隔板(6)，所述隔板(6)将蒸发器(7)的蒸发区隔离。专利摘要本技术公开了一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备，包括真空室和蒸发器，蒸发器下方设置有主动轴和从动轴，主动轴带动基材通过蒸发器下的蒸发区，并对通过蒸发区基材进行卷取，通过蒸发区的基材只需要卷在主动轴上便可，不需要反复的打开真空室来拿出基材，提高镀膜的效率。本技术还公开了制备OLED导电层的方法，其包括以下步骤(1)将OLED基材卷在从动轴上，基材穿过托辊与冷却辊之间，然后连接在主动轴上；(2)对真空室进行抽真空，保持真空度30-50Pa；(3)开启蒸发器；(4)启动电机带动主动轴，保持基材匀速行走；(5)主动轴在带动OLED基材行走的同时，对OLED基材进行卷取；(6)蒸发完毕时，关闭蒸发器及主动轴电机，开启真空室，取出基材。文档编号C23C14/24GK202543301SQ20122012404公开日2012年11月21日 申请日期2012年3月29日 优先权日2012年3月29日专利技术者杨耀武, 苏怡, 苏晓燕 申请人:常熟卓辉光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备，包括真空室(1)和真空室(1)内的蒸发器(7)，其特征在于：所述蒸发器(7)下方设置有主动轴(2)和从动轴(3)，所述主动轴(2)带动从动轴(3)上的半导体薄膜材料基材(8)通过蒸发器(7)下的蒸发区，并对通过蒸发区的半导体薄膜材料基材(8)进行卷取。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨耀武，苏晓燕，苏怡，
申请(专利权)人：常熟卓辉光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：