【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于薄膜制备领域，具体地说是一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置及其应用。
技术介绍
电弧离子镀沉积技术是一种在真空中将冷阴极自持弧光放电用于蒸发源的镀膜技术。真空系统通入氩气至I IO-1Pa时，在阴极靶材与阳极真空室之间引发弧光放电并产生高密度的金属蒸气等离子体，靶材金属正离子在负电压电场加速作用下，沉积到基体表面成膜。由此可见，电弧离子镀沉积薄膜的形核与长大是由离子加速的方式来激励的，并且被电离的靶材金属正离子与气体正离子一起受到电场加速作用，不断轰击基体表面，产生能量积累，导致基体温升。由于其结构简单，沉积速率高(O. I 50ym/min)，入射粒子能·量高(约几十电子伏)，离化率高(60% 80% )，绕射性好等优点，使电弧离子镀技术得到快速发展，并成为20世纪80年代以来工业化应用较好的镀膜技术之一。薄膜材料的性能由其结构决定，而沉积过程中基体温度又是影响沉积薄膜组织结构的重要因素。例如，对于电弧离子镀硬质薄膜(如氮化铬、氮化钛)，高能量入射粒子的轰击、弧光的热辐射效应及基体附加的负偏压轰击效应都提高了基体温度，为沉积粒子结晶形成高硬...
【技术保护点】
一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置，其特征在于：包括冷凝剂输入管(6)、冷凝剂输出管(7)、法兰盘(9)、绝缘垫圈(11)及样品台(14)，其中法兰盘(9)通过绝缘垫圈(11)密封安装在电弧离子镀炉体(21)上，所述冷凝剂输入管(6)及冷凝剂输出管(7)的一端分别安装在法兰盘(9)上，并由法兰盘(9)穿出分别与外部流速可控的冷凝剂循环系统的进、出水口连接，冷凝剂输入管(6)及冷凝剂输出管(7)的另一端连接有样品台(14)，该样品台(14)及法兰盘(9)以下的部分冷凝剂输入管(6)和冷凝剂输出管(7)均位于电弧离子镀炉体(21)的真空腔体内。
【技术特征摘要】
1.一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置，其特征在于包括冷凝剂输入管(6)、冷凝剂输出管(7)、法兰盘(9)、绝缘垫圈(11)及样品台(14)，其中法兰盘(9)通过绝缘垫圈(11)密封安装在电弧离子镀炉体(21)上，所述冷凝剂输入管(6)及冷凝剂输出管(7)的一端分别安装在法兰盘(9)上，并由法兰盘(9)穿出分别与外部流速可控的冷凝剂循环系统的进、出水口连接，冷凝剂输入管(6)及冷凝剂输出管(7)的另一端连接有样品台(14)，该样品台(14)及法兰盘(9)以下的部分冷凝剂输入管(6)和冷凝剂输出管(7)均位于电弧离子镀炉体(21)的真空腔体内。2.按权利要求I所述用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置，其特征在于所述绝缘垫圈(11)安装在法兰盘(9)的下表面、位于法兰盘(9)与电弧离子镀炉体(21)之间，在绝缘垫圈(11)与法兰盘(9)的下表面及绝缘垫圈(11)与电弧离子镀炉体(21)之间分别设有密封圈。3.按权利要求I或2所述用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置，其特征在于所述法兰盘(9)通过陶瓷螺栓(19)固定在电弧离子镀炉体(21)上的炉体预留口(23)处，法兰盘(9)上接有负偏压导线，该负偏压导线通过陶瓷螺栓(19)紧固于法兰盘(9)上。4.按权利要求I所述用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置，其特征在于所述样品台(14)为中空的腔体，内部设有隔板(15)，所述隔板(15)的一端焊接于样品台(14)上表面的内壁，另一端为自由端。5.按权利要求4所述用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置，其特征在于所述隔板(15)位于样品台(14)的中间位置，位于冷凝剂输入管(6)及冷凝剂输出管(7)之间，隔板(15)垂直于样品台(...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖金泉，常正凯，孙超，宫骏，华伟刚，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：
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