【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于自旋半导体材料
，具体涉及一种组分可控的ZrOx薄膜的制备方法。
技术介绍
半导体科学与技术在上世 纪科学技术突破性发展中起关键作用，它促进了材料科学与现代技术的飞速发展，在许多
引起了革命性的变革和突破，极大地推动了科技乃至社会的进步。然而，目前大规模集成电路的尺寸越来越小，传统的微电子工艺已经不能满足现有的对设备集成化不断增长的要求，更不能适应现代信息技术超高速、超高频和超大容量的发展趋势。鉴于此，人们开始关注同时具备磁性及半导体特性的材料一稀磁性半导体(Diluted Magnetic Semiconductors,DMS)。DMS 通常是指在 II-VI 族、IV-VI 族、II-V族、III-V族等化合物半导体中，由3 /过渡族金属或4/稀土金属离子部分地替代非磁性阳离子而形成的一类新型功能材料。稀磁半导体具有多种优异的磁光、磁电性能，使其在高密度非易失性存储器、磁感应器、半导体集成电路、半导体激光器和自旋电子计算机等领域有着广阔的应用前景，因此引起了人们的极大关注和研究热情。DMS材料的发展历史可追溯到上世纪60年代末，掺杂...
【技术保护点】
一种组分可控的ZrOx薄膜的制备方法,？其特征在于利用高真空磁控溅射镀膜系统，采用纯度为4N的金属锆作为靶材，固定如下制备条件：室温，固定金属Zr靶的溅射功率为150？W，背景真空气压为6.0×10？6？mbar，工作气体为高纯氩与高纯氧，工作气压为4.0×10？3？mbar，通过控制反应气体氧气与工作气体氩气的流量比，来改变制备ZrOx薄膜中氧元素的含量，即控制氧氩流量比为O2:Ar？=？(4～8):35？sccm，当氧氩流量比为O2:Ar？=？(4～6):35？sccm时，获得的ZrOx薄膜的物理性质为顺磁性，当氧氩流量比为O2:Ar？=？6～8:35？sccm时，获得...
【技术特征摘要】
1.一种组分可控的ZrOx薄膜的制备方法，其特征在于利用高真空磁控溅射镀膜系统，采用纯度为4N的金属锆作为靶材，固定如下制备条件室温，固定金属Zr靶的溅射功率为150 F，背景真空气压为6.0X10_6 mbar，工作气体为高纯氩与高纯氧，工作气压为4.OX 10_3 mbar，通过控制反应气体氧气与工作气体氩气的流量比，来改变制备ZrOx薄膜中氧元素的含量，即控制氧気流量比为O2:Ar = (4 8) :35 sccm,当氧気流量比为O2:Ar...
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