【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在物理气相沉积(physical vapour deposition, PVD)期间支撑工件的方法以及一种支撑工件的物理气相沉积的设备。
技术介绍
高功率晶体管常常使用厚铝层作为接触层以便于处理这些装置中固有的极高电流密度。需要厚Al薄膜来最大程度减少接触电阻，以及随之的会降低装置速度和效率的切换损耗(switching losses)。典型的装置具有包括一个或多个招层的源触点的竖直构造，铝层的厚度为1-20 μ并沉积在嵌入完整厚度的晶片上的半导体设备上。招及招薄膜可通过磁控派射(magnetron sputtering)技术沉积到晶片上。因此在铝靶和环形阳极环之间连接有直流(DC)电源。当系统为真空且在靶下方的支座上放置 待涂覆部件时，形成低压放电(通常在几mT左右)并且使材料从靶溅射到晶片上。利用该技术来沉积厚金属涂层可导致待涂覆晶片的温度显著上升，这是因为在真空系统中难以去除金属离子或中性分子的瞬时磁通以及来自等离子体的热量。然而，在制造过程中，晶片可达到的温度往往是受限的，450°C是普遍的上限值并且是对于后端线(Back End Of...
【技术保护点】
一种在物理气相沉积(PVD)期间支撑工件的方法，所述方法包括：(a)设置具有支撑平面的铝支座，所述支撑平面涂有吸热涂层；(b)冷却所述支座至100℃左右；以及(c)进行PVD过程以使得在冷却作用下所述工件的温度在350℃～450℃之间。
【技术特征摘要】
2011.06.21 GB 1110476.71.一种在物理气相沉积(PVD)期间支撑工件的方法，所述方法包括 (a)设置具有支撑平面的铝支座，所述支撑平面涂有吸热涂层； (b)冷却所述支座至100°C左右；以及 (c)进行PVD过程以使得在冷却作用下所述工件的温度在350°C 450°C之间。2.根据权利要求I所述的方法，其中，所述涂层为惰性和/或超高电压兼容。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述涂层为C...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·R·伯吉斯，
申请(专利权)人：SPTS科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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