【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子体蚀刻半导体衬底的方法。本专利技术还涉及一种用于等离子体蚀刻半导体衬底的相关联设备。
技术介绍
1、在半导体制造工业中基于真空的等离子体蚀刻及沉积工具中，由于处理腔室中低于大气压的压力，避免晶片移动且从晶片或衬底移除由等离子体或放热过程产生的热是具有挑战性的。由于从衬底到衬底支撑件的不良热对流及直接传导，降低压力限制热传递。为了实现衬底温度的最佳控制，静电卡盘或“esc”用于控制真空系统中衬底的温度。esc与衬底之间的静电吸引允许用惰性气体(例如he)在足够高压力下对衬底与esc表面之间的空腔或通道加压以促进衬底与热控esc之间的良好热传导。此过程称为背面加压。即使处理腔室在比esc与衬底之间的压力低得多的压力下操作，也可维持衬底的静电夹持且库仑维持严格温度控制。
2、通常具有两种不同esc用于在真空系统中夹持衬底，即，双极(“库仑(coloumb)”)及单极(“约翰森-拉贝克(johnsen-rahbek)”)esc。在两种类型中，金属电极或多个电极嚢封于电介质结构中，电介质结构接着附接到金属衬底支...
【技术保护点】
1.一种等离子体蚀刻半导体衬底的方法，其包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中当所述ESC在所述第一与第二双极操作模式之间切换时，所述冷却气体的所述压力降到小于1托的压力。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中在所述等离子体蚀刻步骤期间，所述ESC在所述第一与第二双极操作模式之间切换多次。
4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述等离子体蚀刻步骤期间，所述ESC在所述第一与第二双极操作模式之间切换至少三次。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中在所述等离子体蚀刻步骤期间，所述半导体衬...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体蚀刻半导体衬底的方法，其包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中当所述esc在所述第一与第二双极操作模式之间切换时，所述冷却气体的所述压力降到小于1托的压力。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中在所述等离子体蚀刻步骤期间，所述esc在所述第一与第二双极操作模式之间切换多次。
4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述等离子体蚀刻步骤期间，所述esc在所述第一与第二双极操作模式之间切换至少三次。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中在所述等离子体蚀刻步骤期间，所述半导体衬底达到至少140℃的温度。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其包括以下进一步步骤：将所述半导体衬底暴露于在惰性气体或惰性气体混合物中形成的等离子体，其中所述进一步步骤在等离子体蚀刻所述半导体衬底与从所述衬底支撑件移除所述半导体衬底的步骤之间执行。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述惰性气体或惰性气体混合物包括he及/或ar。
8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中如果所述esc在所述第一与第二双极操作模式之间切换而不降低所述冷却...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·S·比切，
申请(专利权)人：SPTS科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。