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本申请案的实施例涉及一种等离子体蚀刻方法及设备。一种等离子体蚀刻半导体衬底的方法包括以下步骤：将半导体衬底定位于腔室内的衬底支撑件上，使得所述半导体衬底的上表面能够暴露于所述等离子体蚀刻且所述半导体衬底的下表面由所述衬底支撑件支撑，其中所述...
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