封装基板结构制造技术

一种具超薄种子层的封装基板结构，主要在基板的一基面和金属线路层之间，形成一超薄金属层，该超薄种子层有助于增加形成于其上的金属凸块或线路与基板的附着度及结合力，更由于超薄种子层的厚度很薄，因此可有效缩小基板上线路的线宽及线距，故可增加制作细线路的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具超薄种子层(seed layer)的封装基板结构,尤其涉及具有超薄种子层以增加金属凸块或线路与基板的附着度及结合力，以及由于超薄种子层的厚度很薄，因此可有效缩小基板上线路的线宽及线距。
技术介绍
传统封装基板结构中，通常是直接将铜箔压合于基板的表面上做为导通层，铜箔的厚度一般约为3 μ m 12 μ m，接着在经过压模、微影、镀铜、蚀刻来于导通层上形成线路，然而现今数字电路板日趋轻、薄、短、小、高密度，因此细线路的印刷需求逐渐提高。由于细线路的基板线路密度较高，因此基板上的线距及线宽相对要缩小，但利用一般现下的铜箔做为导通层，由于一般铜箔的厚度约为3 μ m 12 μ m，导致在缩小线距上有限制，因此较难提高细线路基板的密度及良率，另外，线路层的尺寸缩小后，可能容易产生金属线路与基板的附着度或结合力不佳，而导致分离的状态。因此，需要一种容易有助于增加线路与基板的附着度及结合力，并能有效缩小基板上线路的线宽及线距，故可增加制作细线路的良率的封装基板结构。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种封装基板结构，该封装基板结构可以为单层、双层或是多层结构，主要包含基板、孔洞以及包含至少一金属凸块的线路层，在基板形成线路层之基面的一部份，以及孔洞的孔壁中，具有一超薄种子层，也就是超薄种子层介于基面以及金属凸块之间。利用超薄种子层很薄的厚度，可有效缩小基板上线路的线宽及线距，并增加金属凸块或线路与基板的附着度及结合力。附图说明图I为本专利技术封装基板结构第一实施例的剖面示意图。图2为本专利技术封装基板结构第二实施例的剖面示意图。图3为本专利技术封装基板结构第三实施例的剖面示意图。具体实施例方式以下配合图式对本专利技术之实施方式做更详细的说明，使熟悉本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。参考图1，本专利技术封装基板结构第一实施例的剖面示意图。，如图I所示，本专利技术封装基板结构第一实施例为一单层封装基板结构1，包含一基板10、至少一孔洞20以及一线路层30，基板10的一表面，形成一基面11，孔洞20形成于基板10中，而线路层30包含至少一个金属凸块31、33，该金属凸块31、33形成于基面11的一部份上，且将该至少一孔洞20填满，此外，在形成金属凸块31、33的基面11的一部份，以及该至少一孔洞20的孔壁，具有以导电材料所形成的一超薄种子层(seed layer)40，也就是超薄种子层40介于基面11以及金属凸块31、33之间。在第一实施例中， 其中该至少一孔洞20包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一，金属凸块31、33以铜或铜合金所制成，基面11可以为一粗糙表面，而该超薄种子层40随着该基面11的粗糙度而起伏，超薄种子层40的厚度小于I μ m，用以在形成金属凸块31、33时增加其与基板10之表面的附着度及结合力。要注意的是，基板10的表面包含该基板的上表面及下表面的其中之一，在图I中以上表面表不。参考图2，本专利技术封装基板结构第二实施例的剖面示意图。如图2所示，本专利技术封装基板结构第二实施例为一双层封装基板结构2，包含一基板10、至少一孔洞22、一上部线路层32以及一下部电路层34，基板10的上表面形成一上基面13，且基板10的下表面形成一下基面15，孔洞22形成于基板10中，而上部线路层32包含至少一个金属凸块35、37，下部线路层32包含至少一个金属凸块39、41，该金属凸块35、37形成于上基面13的一部份上，该金属凸块39、41形成于下基面15的一部份上，且将该至少一孔洞22填满，使上部电路层32与下部电路层34电气连通。此外，在形成金属凸块35、37的上基面13的一部份、形成金属凸块39、41的下基面15的一部份以及该至少一孔洞22的孔壁，具有以导电材料所形成的一超薄种子层40，也就是超薄种子层40介于上基面13以及金属凸块35、37之间以及下基面15以及金属凸块39、41之间。在第二实施例中，其中该至少一孔洞22包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一，金属凸块35、37、39、41以铜或铜合金所制成，上基面13以及下基面15可以为一粗糙表面，而该超薄种子层40随着该基面11的粗糙度而起伏，超薄种子层40的厚度小于I μ m。参考图3，本专利技术封装基板结构第三实施例的剖面示意图。如图3所示，本专利技术封装基板结构第三实施例为一多层封装基板结构3，包含一第一基板12、至少一第一孔洞24、一第一线路层36、一第二电路层38、至少一第二基板50、至少一第二孔洞26，以及至少一外部电路层60。第一基板12的上表面形成一第一基面17,且第一基板12的下表面形成一第二基面19，第一孔洞24形成于该第一基板12中，而第一线路层36包含至少一个金属凸块43、45，第二线路层38包含至少一个金属凸块47、49，该金属凸块43、45形成于第一基面17的一部份上，该金属凸块47、49形成于第二基面19的一部份上，且将该至少一孔洞24填满，使第一电路层36与第二电路层38电气连通。此外,在形成金属凸块43、45的第一基面17的一部份、形成金属凸块47、49的第二基面19的一部份以及该至少一第一孔洞24的孔壁，具有以导电材料所形成的一第一超薄种子层42，也就是说，第一超薄种子层42介于第一基面17以及金属凸块43、45之间以及第二基面19以及金属凸块47、49之间。第二基板50堆栈于第一基面17及第一线路层36或/及第二基面19及第二线路层38之上，且具有一外部基面51，该至少一第二孔洞26形成于第二基板50中，进一步也能贯穿第一基板12及第二基板50而形成通孔，外部线路层60包含至少一个金属凸块61、63,该金属凸块61、63形成于外部基面51的一部份上,且将该至少一第二孔洞26填满,进一步使外部电路层60与第一电路层36及/或第二电路层38电气连通。此外，在形成金属凸块61、63之外部基面51的一部份以及该至少一第二孔洞26的孔壁，具有以导电材料所形成的一第二超薄种子层44，也就是说，第二超薄种子层44介于第二基面51以及金属凸块61、63之间。在第三实施例中，其中该至少第一孔洞24、第二孔洞26包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一，金属凸块43、45、47、49、61、63以铜或铜合金所制成，第一基面17、第二基面19以及外部基面51可以为一粗糙表面，而该第一超薄种子层42随着该第一基面17或第二基面19的粗糙度而起伏，第二超薄种子层44随着该外部基面51的粗糙度起伏，且第一超薄种子层42、第二超薄种子层44的厚度小于I y m。本专利技术的特点在于利用超薄种子层很薄的厚度，可有效缩小基板上线路的线宽及线距，并增加金属凸块或线路与基板的附着度及结合力。以上所述仅为用以解释本专利技术的较佳实施例，并非企图据以对本专利技术做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的专利技术精神下所作有关本专利技术的任何修饰或变更，皆仍应包括在本专利技术意图保护的范畴。·本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板结构，其特征在于，该封装基板结构包含：一基板，该基板的一表面形成一基面；至少一孔洞，形成于该基板中；以及一线路层，包含至少一个金属凸块，该至少一金属凸块形成于该基面的一部份上，且将该至少一孔洞填满，其中在形成该至少一金属凸块的该基面的一部份，以及该至少一孔洞的孔壁，具有以一导电材料所形成的一超薄种子层。

【技术特征摘要】
1.一种封装基板结构，其特征在于，该封装基板结构包含 一基板，该基板的一表面形成一基面； 至少一孔洞，形成于该基板中； 以及一线路层，包含至少一个金属凸块，该至少一金属凸块形成于该基面的一部份上，且将该至少一孔洞填满， 其中在形成该至少一金属凸块的该基面的一部份，以及该至少一孔洞的孔壁，具有以一导电材料所形成的一超薄种子层。2.依据权利要求I所述的封装基板结构，其特征在于，该超薄种子层的厚度小于IU m。3.依据权利要求I所述的封装基板结构，其特征在于，该至少一孔洞包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一。4.依据权利要求I所述的封装基板结构，其特征在于，该基面为一粗糙表面，而该超薄种子层随着该基面的粗糙度起伏。5.一种封装基板结构，其特征在于，该封装基板结构包含 一基板，该基板的上表面形成一上基面，且该基板的下表面形成一下基面； 至少一孔洞，形成于该基板中； 一上部线路层，包含形成于该上基面的一部份上的至少一个金属凸块；以及 一下部电路层，包含形成于该下基面的一部份上的至少一金属凸块， 其中该至少一金属凸块将该至少一孔洞填满，使该上部电路层与该下部电路层电气连通，且在形成该至少一金属凸块之该上基面的一部份、形成该至少一金属凸块的下基面一部份以及该至少一孔洞的孔壁，具有以一导电材料所形成的一超薄种子层。6.依据权利要求5所述的封装基板结构，其特征在于，该超薄种子层的厚度小于IU m。7.依据权利要求5所述的封装基板结构，其特征在于，该至少一孔洞包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一。8.依据权利要求5所述的封装基板结构，其特征在于，该上基面及该下基面为一粗糙表面，而该超薄种子层随着该上基面及该下基面的粗糙度起伏。9.一种封装基板结构，其特征在于，该封装基板结构包含 一第一基...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾博榆，
申请(专利权)人：景硕科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：