【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开通常涉及检测在晶片上的集成电路管芯。
技术介绍
晶片上能够各纳许多独立的集成电路管芯。在作为工艺一部分的制造工艺中,对晶片上的集成电路管芯进行检测以发现晶片上有缺陷的集成电路管芯。一种用于进行晶片级检测的技术是用探针接触每个管芯,以及计算机检测单元通过探针将一组图案提供给每个管芯。检测输入激励可以包括功能性和结构性检测图案。该技术使能对晶片上的所有管芯进行检测,但是通常通过一次对各个管芯中的一个进行单独探测来完成。这会显著地增加制造时间和成本并且会使探针用来与晶片上的管芯形成电接触的管芯隆起萎缩。另一提议是包括传送检测图案和检测结果以提供接触列表检测的无线接收器和发送器。然而,这些提议在晶片上的所有管芯中采用了发送器和接收器电路,从而增加了每个管芯的成本。试图减少晶片级检测时间的技术是使用多部位检测方法,其中同时对不止一个管芯进行检测。这通常是由将也称为输入检测数据的检测激励播送至管芯的特定子集(例如,8个、16个或32个管芯)并且将所有这些管芯的输出与期望响应进行比较的计算机检测单元来完成的。这种多部位检测技术通常需要检测器将激励同时播送至所有的管芯并且 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:什拉凡·库马尔·巴斯卡拉尼,
申请(专利权)人:超威半导体公司,
类型:发明
国别省市:
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