一种氧化物半导体薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术提供的氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板和顺次设置在所述基板上的栅电极、绝缘介质层以及氧化物半导体沟道层，所述绝缘介质层使得所述栅电极和所述氧化物半导体沟道层绝缘，所述氧化物半导体沟道层的上表面设置漏电极和源电极，所述漏电极和所述源电极之间的间隙为d1，所述源电极与所述栅电极在水平方向上的重叠区域的长度为d2，所述源电极与所述氧化物半导体沟道层间的接触是肖特基接触，所述漏电极与所述氧化物半导体沟道层间的接触是欧姆接触。本发明专利技术的氧化物半导体薄膜晶体管通过在较低载流子浓度下工作来提高了其工作稳定性。该类型氧化物半导体薄膜晶体管由于新的几何特征和工作原理所以受短沟道效应影响小，利于提高一致性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种氧化物半导体薄膜晶体管，属于平板显示领域。
技术介绍
薄膜晶体管(薄膜晶体管)作为平板显示器的有源驱动器件，成为平板显示领域的关键技术。氧化物半导体(如IGZ0，AZ 0，GZ0，Zn0等)薄膜晶体管以其高透明性、高迁移率、高电流开关比、低エ艺温度以及简单的制造エ艺等优点，拥有很好的发展前景，能够用在高性能TFT-IXD或AMOLED显示屏上。然而，目前的氧化物半导体薄膜晶体管在工作中(如恒压或恒流模式下)其阈值电压随时间的推移容易产生漂移，从而影响了阈值电压的稳定性，进而造成对显示器像素明亮程度的不良影响。研究发现，载流子的浓度对阈值电压的影响很大，传统的氧化物半导体源电极和漏电极与氧化物半导体沟道层的接触都是欧姆接触，氧化物半导体(通常是η型半导体)表面形成的是负的空间电荷区，电场方向由表面指向体内，表面电子浓度比体内大得多，所以源极势垒区是ー个高电导区域。该薄膜晶体管工作时饱和电流由漏端传导沟道的夹断(pinch-off)决定，载流子浓度大，从而増大了对阈值电压的影响，进而影响了氧化物半导体薄膜晶体管的工作稳定性。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板(101)和顺次设置在所述基板(101)上的栅电极(102)、绝缘介质层(103)以及氧化物半导体沟道层(104)，所述绝缘介质层(103)使得所述栅电极(102)和所述氧化物半导体沟道层(104)绝缘，所述氧化物半导体沟道层(104)的上表面设置漏电极(201)和源电极(202)，所述漏电极(201)和所述源电极(202)之间的间隙为Cl1，所述源电极(202)与所述栅极(102)在水平方向上的重叠区域的长度为d2，所述源电极(202)与所述氧化物半导体沟道层(104)间的接触是肖特基接触，所述漏电极(201)与所述氧化物半导体沟道层(104)间的接触是欧姆接触。2.根据权利要求I所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于所述漏电极(201)和所述源电极(202 )之间的间隙Cl1的范围是I 20 μ m。3.根据权利要求I或2所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于在所述源电极(202)和所述漏电极(201)之间位于所述氧化物半导体沟道层(104)上的位置设置与所述半导体氧化物沟道层(104)贴合的刻蚀阻挡层(301)，所述刻蚀阻挡层(301)的长度比所述源电极(202)和所述漏电极(201)之间的间隙Cl1大I 5 μ m。4.根据权利要求3所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于所述刻蚀阻挡层(301)为背沟道刻蚀型结构或阻挡刻蚀型结构中的ー种。5.根据权利要求4所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于所述刻蚀阻挡层(301)与所述氧化物半导体沟道层(104)贴合的另一面设置钝化层。6.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于所述钝化层的厚度为 100_400nm。7.根据权利要求1-6中任ー项所述氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于所述基板(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈红，邱勇，黄秀颀，魏朝刚，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：