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本发明提供的氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板和顺次设置在所述基板上的栅电极、绝缘介质层以及氧化物半导体沟道层，所述绝缘介质层使得所述栅电极和所述氧化物半导体沟道层绝缘，所述氧化物半导体沟道层的上表面设置漏电极和源电极，所述漏电极和所述源电极...
该专利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司授权不得商用。

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