半导体装置制造方法及图纸

所公开的发明专利技术的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的
涉及一种半导体装置。在此，半导体装置是指通过利用半导体特性工作的所有元件及装置。
技术介绍
金属氧化物的种类繁多且用途广。氧化铟是公知的材料，并已经被用作液晶显示装置等所需的透明电极材料。在金属氧化物中存在呈现半导体特性的金属氧化物。作为呈现半导体特性的金属 氧化物，例如可以举出氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等，并且已知一种将这种金属氧化物用作沟道形成区的薄膜晶体管(例如，参照专利文献I至专利文献4、非专利文献I等)。另外，作为金属氧化物，不仅已知一元氧化物，而且还已知多元氧化物。例如，作为具有In、Ga及Zn的多元氧化物半导体,具有同源相(homologous phase)的InGaO3 (ZnO)m (m为自然数)是周知的(例如，参照非专利文献2至4等)。并且，已经确认到可以将包括上述那样的In-Ga-Zn类氧化物的氧化物半导体也应用于薄膜晶体管的沟道形成区(例如，参照专利文献5、非专利文献5及6等)。[专利文献I]日本专利申请公开昭60-198861号公报[专利文献2]日本专利申请公开平8-264794号公报[专利文献3]PCT国际申请日本公表平11-50本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.05 JP 2010-0246361.一种半导体装置，包括 氧化物半导体层； 与所述氧化物半导体层接触的绝缘层； 与所述氧化物半导体层和所述绝缘层接触的源电极及漏电极； 与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及 设置在所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层， 其中，所述氧化物半导体层的侧表面分别与所述源电极或所述漏电极接触， 并且，在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极中的至少ー个之间夹有所述绝缘层。2.根据权利要求I所述的半导体装置，其中在所述氧化物半导体层上设置有所述栅电扱。3.根据权利要求I所述的半导体装置，其中在所述栅电极上设置有所述氧化物半导体层。4.根据权利要求I所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层的侧表面的上端与所述绝缘层的侧表面的下端对准。5.根据权利要求I所述的半导体装置，其中所述源电极及所述漏电极每ー个包括第一导电层和其电阻高于所述第一导电层的第二导电层，并且所述第二导电层与所述氧化物半导体层接触。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二导电层的厚度为5nm以上且15nm以下。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二导电层包括金属氮化物。8.一种半导体装置，包括 衬底上的栅电极； 所述栅电极上的栅极绝缘层； 所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层； 与所述氧化物半导体层接触的绝缘层；以及 所述绝缘层上和所述栅极绝缘层上的源电极及漏电极， 其中，所述氧化物半导体层的侧表面分别与所述源电极或所述漏电极接触。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层的侧表面的上端与所述绝缘层的侧表面的下端对准。10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述源电极及所述漏电极每ー个包括第一导电层和其电阻高于所述第一导电层的第二导电层，并且所述第二导电层与所述氧化物半导体层接触。...

【专利技术属性】
技术研发人员：乡户宏充，荒井康行，冈本知广，寺岛真理，西田惠里子，菅尾惇平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：