PIN二极管制造技术

本发明专利技术提供一种能够抑制由于在超出击穿电压的反向偏压时电流向阳极区域的曲线部集中而产生热破坏的PIN二极管。本发明专利技术的PIN二极管由以下构成：由N+半导体层(1)以及N-半导体层(2)构成的半导体基板(11)；形成在N+半导体层(1)的外表面上的阴极电极(18)；从N-半导体层(2)的外表面选择性地扩散P型杂质而形成的主阳极区域(16)、分离阳极区域(15)以及阳极连接区域；和形成在主阳极区域(16)上的阳极电极(17)。主阳极区域(16)具有4边由直线部(B4)构成且4顶点由大致圆弧状的曲线部(B3)构成的大致矩形的外缘，分离阳极区域(15)沿着主阳极区域(16)的外缘形成为环状，阳极连接区域形成为以下形状，即，使相互对置的分离阳极区域(15)的内缘以及主阳极区域(16)的直线部(B4)中的任意一方突出出来与另一方点接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及PIN(P Intrinsic N) 二极管，更详细来说，涉及用于提高雪崩(avalanche)耐量的PIN 二极管的改良。
技术介绍
在由N型半导体层构成的半导体基板的一个主面上形成阴极(cathode)电极，并在另一个主面上形成由P型半导体构成的矩形形状的阳极(anode)区域，作为以上构成的半导体整流元件，存在PIN 二极管。PIN 二极管的N型半导体层由N+半导体层和杂质浓度比N+半导体层低的N—半导体层(本征半导体层)构成，在阳极区域以及N+半导体层之间 存在高电阻的N_半导体层，由此，相对于反向偏压得到良好的耐压特性。作为在施加反向偏压时产生的击穿现象(breakdown phenomenon),存在雪崩击穿(电子雪崩击穿)。雪崩(Avalanche)击穿在施加超出击穿电压(反耐压电压)的反向偏压时产生，由于流过较大的雪崩电流而导致温度上升，有时会导致元件的热破坏。已知对于通过施加反向偏压而在半导体层中产生的耗尽层(depleted layer)来说，与阳极区域的中央部相比，阳极区域的端部难以扩展。也就是说，对耗尽层的厚度来说，端部与阳极区域的中央部相比较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.17 JP 2010-0319571.ー种PIN ニ极管，其特征在于，具备 半导体基板，其由N型的第一半导体层以及杂质浓度比第一半导体层低的N型的第二半导体层构成； 阴极电极，其形成在第一半导体层的外表面上； 从第二半导体层的外表面选择性地扩散P型杂质而形成的主阳极区域、分离阳极区域以及阳极连接区域；以及 阳极电极，其形成在上述主阳极区域上， 上述主阳极区域具有4边由直线部构成且4顶点由大致圆弧状的曲线部构成的大致矩形的外缘， 上述分离阳极区域沿着上述主阳极区域的外缘形成为环状， 上述阳极连接区域形成为以下形状，即，使相互对置的上述分离阳极区域的内缘以及上述直线部中的任意一方突出出来与另一方进行点接触。2.根据权利要求I所述的PINニ极管，其特征在干， 上述阳极...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村良和，山本浩史，内野猛善，
申请(专利权)人：株式会社三社电机制作所，
类型：发明
国别省市：