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本发明提供一种能够抑制由于在超出击穿电压的反向偏压时电流向阳极区域的曲线部集中而产生热破坏的PIN二极管。本发明的PIN二极管由以下构成：由N+半导体层(1)以及N-半导体层(2)构成的半导体基板(11)；形成在N+半导体层(1)的外表面上...
该专利属于株式会社三社电机制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社三社电机制作所授权不得商用。

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