【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种使n沟道mosfet和p沟道mosfet进行推免连接而驱动功率半导体元件的栅极驱动电路。
技术介绍
1、对功率mosfet和igbt等功率半导体元件进行驱动的栅极驱动电路有多个种类。例如，有对n沟道mosfet和p沟道mosfet进行推挽连接的栅极驱动电路(实开平05-048584号公报)。该栅极驱动电路可实现在低损耗下高速开关驱动。
2、但是，在上述现有技术专利文献示出的栅极驱动电路中，因为栅极电压是恒定的，没有温度补偿，会伴随着温度变化出现如下文所述的问题。
3、1)低温时和高温时的打开延迟时间及关闭延迟时间不同。因此，栅极驱动电路的应答性存在温度依赖性。
4、2)n沟道mosfet和p沟道mosfet同时开启时间延长，损耗增大。特别是一旦在高频开关时元件的温度升高，则容易发生同时开启的情况，损耗变大。
5、这些问题的原因在于mosfet的阈值随温度(周围温度)而变化。
6、本专利技术着眼于mosfet的阈值随温度(周围温度)而变化的问题。本专利技术的目的是提供一种栅极驱动电路，使栅极电压根据温度(周围温度)而变化。
技术实现思路
1、本专利技术的栅极驱动电路具有
2、推挽连接的n沟道mosfet和p沟道mosfet，
3、连接于所述n沟道mosfet和所述p沟道mosfet的栅极端子之间温度补偿电路。
4、所述温度补偿电路随着周围温度升高而降低所述n沟道mosfe
5、所述温度补偿电路包括晶体管，其中所述n沟道mosfet和所述p沟道mosfet的各栅极端子连接于集电极发射极之间；热敏电阻电路，其包括连接于所述晶体管的基极发射极之间的热敏电阻元件。
6、通过所述结构，温度补偿电路随着温度(周围温度)升高而使n沟道mosfet和p沟道mosfet各自的栅极电压降低(drop，下降)。由此，可缩小根据温度而变化的打开、关闭的各延迟时间的延迟差。另外，n沟道mosfet和p沟道mosfet的同时开启时间不会变长，可防止损耗增大。
7、特别是能够减少在高频开关时的高温时容易产生的损耗。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种栅极驱动电路，其将从控制基板输入的脉冲信号通过推挽连接的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET进行放大，从而驱动输出元件，
2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路，其中
3.根据权利要求2所述的栅极驱动电路，其中
【技术特征摘要】
1.一种栅极驱动电路，其将从控制基板输入的脉冲信号通过推挽连接的n沟道mosfet和p沟道mosfet进行放大，从而驱动输...
【专利技术属性】
技术研发人员：深井真志，
申请(专利权)人：株式会社三社电机制作所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。