【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及igbt，特别是涉及一种减小igbt关断过冲电压的装置。
技术介绍
1、随着特高压直流输电技术和柔性直流输电技术的广泛应用，绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)作为主动快速关断器件，在其两端并联电容和二极管的电气拓扑也被大量使用。
2、如图1所示，在多级串联的igbt结构中，igbt导通时，电流从第一支路流过，第一支路由igbt组成；当igbt关断后，电流从第二支路流过，第二支路中的电容和二极管依次串联；在igbt关断瞬间，第一支路电流迅速减小，第二支路电流迅速增加，di/dt数值为5ka/μs，此时在电感l1和电感l2两端产生的电压u1＝l1·di/dt，u2＝l2·di/dt，u＝u1+u2是kv级，为关断瞬间igbt两端过冲电压，此过冲电压高会导致igbt击穿。
3、因此，现有的igbt结构存在过充电压过大的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种减小igbt关断过冲电压的装置，以解决现有的igbt结构存在过充电压过大的问题。
2、第一方面，本专利技术提供了一种减小igbt关断过冲电压的装置，包括：多个依次串联的第一单元，第一单元包括相互并联的第一支路和第二支路，所述第一支路上设置有igbt，所述第二支路包括交替串联的电容组和二极管组。
3、可选地，所述电容组包括两个串联的电容，所述二极管组包括两个串联的二极管；所述igbt的两端分别所述
4、可选地，所述电容包括第一电容端子和第二电容端子，所述第一电容端子延伸方向朝向属于同一个电容组内的另一个电容，所述第一电容端子的延伸方向垂直于所述第二电容端子的延伸方向。
5、可选地，减小igbt关断过冲电压的装置还包括电容连接排，所述电容组中的两个电容的通过所述电容连接排连接。
6、可选地，所述电容连接排的等效导线长度为所述电容组中的两个电容的两个所述第一电容端子的长度之和，且所述电容连接排覆盖在所述电容组中的两个电容的两个所述第一电容端子上。
7、可选地，减小igbt关断过冲电压的装置还包括二极管-igbt连接排，所述二极管组中的两个二极管通过所述二极管-igbt连接排连接。
8、可选地，所述二极管-igbt连接排的导线长度等于或小于4mm。
9、可选地，所述电容连接排连接有第一散热器，所述二极管-igbt连接排连接有第二散热器，在依次串联的所述第一单元中，前一第一单元中的所述igbt和后一第一单元中的所述igbt通过所述第一散热器或所述第二散热器串联。
10、可选地，所述减小igbt关断过冲电压的装置还包括二极管-电容连接排，所述二极管-电容连接排的一端和所述第二电容端子连接，所述二极管-电容连接排的另一端和二极管组的输入端或输出端连接。
11、可选地，所述二极管-电容连接排的导线长度等于或小于65mm。
12、从以上技术方案可以看出，本专利技术实施例具有以下优点：
13、本专利技术提供的一种减小igbt关断过冲电压的装置，通过对拓扑的微调，通过把多级串联的阵列式布置，换成电容组和二极管组交替串联，并且每个所述igbt分别并联所述电容组中的一个电容以及所述二极管组中的一个二极管，采用电容组和二极管组的形式，由于电容和电容之间连接或二极管和二极管之间由于连接线路产生的电感较小，也即电感l2的值较小，可以忽略，从而减少了电压u2，进而可以减小igbt两端过冲电压，避免igbt被击穿。
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1.一种减小IGBT关断过冲电压的装置，其特征在于，包括：多个依次串联的第一单元，第一单元包括相互并联的第一支路和第二支路，所述第一支路上设置有IGBT，所述第二支路包括交替串联的电容组和二极管组。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容组包括两个串联的电容，所述二极管组包括两个串联的二极管；所述IGBT的两端分别所述电容组中的一个电容以及所述二极管组中的一个二极管连接。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电容包括第一电容端子和第二电容端子，所述第一电容端子延伸方向朝向属于同一个电容组内的另一个电容，所述第一电容端子的延伸方向垂直于所述第二电容端子的延伸方向。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，减小IGBT关断过冲电压的装置还包括电容连接排，所述电容组中的两个电容的通过所述电容连接排连接。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述电容连接排的等效导线长度为所述电容组中的两个电容的两个所述第一电容端子的长度之和，且所述电容连接排覆盖在所述电容组中的两个电容的两个所述第一电容端子上。
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7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述二极管-IGBT连接排的导线长度等于或小于4mm。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述电容连接排连接有第一散热器，所述二极管-IGBT连接排连接有第二散热器，在依次串联的所述第一单元中，前一第一单元中的所述IGBT和后一第一单元中的所述IGBT通过所述第一散热器或所述第二散热器串联。
9.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述减小IGBT关断过冲电压的装置还包括二极管-电容连接排，所述二极管-电容连接排的一端和所述第二电容端子连接，所述二极管-电容连接排的另一端和二极管组的输入端或输出端连接。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述二极管-电容连接排的导线长度等于或小于65mm。
...【技术特征摘要】
1.一种减小igbt关断过冲电压的装置，其特征在于，包括：多个依次串联的第一单元，第一单元包括相互并联的第一支路和第二支路，所述第一支路上设置有igbt，所述第二支路包括交替串联的电容组和二极管组。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容组包括两个串联的电容，所述二极管组包括两个串联的二极管；所述igbt的两端分别所述电容组中的一个电容以及所述二极管组中的一个二极管连接。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电容包括第一电容端子和第二电容端子，所述第一电容端子延伸方向朝向属于同一个电容组内的另一个电容，所述第一电容端子的延伸方向垂直于所述第二电容端子的延伸方向。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，减小igbt关断过冲电压的装置还包括电容连接排，所述电容组中的两个电容的通过所述电容连接排连接。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述电容连接排的等效导线长度为所述电容组中的两个电容的两个所述第一电容端子的长度之和，且所述电容连接排覆盖在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王治翔，高冲，盛财旺，王蒲瑞，杜炤鑫，
申请(专利权)人：国网智能电网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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