【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种。
技术介绍
氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)具有超薄、重量轻、低耗电等优势，不仅可以用于液晶显示面板的制造，而且为制作更艳丽的色彩和更清晰的影像的新一代有机发光显示面板0LED(0rganic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)走上实用阶段提供可能。参照图I、图2A 图2E，对现有技术中的Oxide TFT阵列基板的制造方法进行说 明。图I为现有的Oxide TFT阵列基板的制造方法的流程框图，图2A 图2F为OxideTFT阵列基板的制造过程中的截面图。S101’、在基板上形成栅电极层。如图2A所示，在Glass基板上形成栅电极层13。在TFT的制作过程中，栅电极多为采用磁控溅射的方法来制备，电极材料根据不同的器件结构和工艺要求可以进行选择。通常被采用的栅电极金属有Mo，Mo-Al-Mo合金，Mo/Al-Nd/Mo叠成结构的电极、Cu、铜合金以及金属钛及上述各金属的合金等。S102’、对栅电极层进行图形化。如图2B所示，通过湿法刻蚀的方式，对栅极金属层13进行图形化，如图中的13a与13b...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2012.04.28 CN 201210134094.21.一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体，所述栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。2.如权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层为一层，为第一栅极绝缘层。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜或氧化钛薄膜。4.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为经过退火工艺处理的绝缘层。5.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为50nm 500nmo6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为IOOnm 300nm。7.如权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层为两层，包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层贴近栅极，所述第二栅极绝缘层贴近所述有源层，其中，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层两者中至少一层为无机绝缘薄膜。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层均为无机绝缘薄膜。9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为氮化硅薄膜或氮氧化硅薄膜。10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层为氧化硅薄膜、三氧化二钇薄膜或氮氧化硅薄膜。11.如权利要求7-10任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为经过退火工艺处理的绝缘层。12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层为经过退火工艺处理的绝缘层。13.如权利要求7-10任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为 50nm-600nm。14.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为100nm-300nmo15.如权利要求7-10任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层的厚度为 50nm-650nm。16.如权利要求15所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层的厚度为100nm_200nm。17.如权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层为三层，包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第三栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层贴近栅极，所述第三绝缘层贴近有源层，所述第二栅极绝缘层位于第一栅极绝缘层和第三栅极绝缘层中间，其中，所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述第三栅极绝缘层三者中至少一层为无机绝缘薄膜。18.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述第三栅极绝缘层均为无机绝缘薄膜。19.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其特征在于， 所述第一栅极绝缘层为氮化硅薄膜或氮氧化硅薄膜。20.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其特征在于， 所述第二栅极绝缘层为氮氧化硅薄膜。21.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其特征在于， 所述第三绝缘绝缘层为氧化硅薄膜、氧化铝薄膜或氧化钛薄膜。22.如权利要求17-21任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为 50nm-600nm。23.如权利要求22所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为100nm_200nm。24.如权利要求17-21任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层的厚度为 50nm-650nm。25.如权利要求24所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层的厚度为100nm_200nm。26.如权利要求17-21任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三栅极绝缘层的厚度为 20nm-600nm。27.如权利要求26所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三栅极绝缘层的厚度为100nm_150nmo28.如权利要求7、8、9、10、17、18、19、20或21任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为铜或铜合金。29.—种如权利要求1-28任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括 制作栅极绝缘层的步骤，所述栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。30.如权利要求29所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层为一层，为第一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的制作方法具体包括 步骤Sll :采用无机绝缘材料形成第一栅极绝缘层； 步骤S12 :对第一栅极绝缘层进行退火工艺处理。31.如权利要求30所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一栅极绝缘层采...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁广才，李禹奉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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