氧化物半导体薄膜晶体管与显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管与显示装置，该氧化物半导体薄膜晶体管包括：形成于基板上的栅金属层；形成在所述栅金属层上的栅绝缘层；形成在所述栅绝缘层上的第一过渡层；形成在所述第一过渡层上的氧化物半导体层，所述第一过渡层的含氧量高于所述氧化物半导体层；以及形成在所述氧化物半导体层上的阻挡层；形成在所述阻挡层、所述氧化物半导体层、所述栅绝缘层上的源漏金属层；形成在所述源漏金属层、所述栅绝缘层及部分所述阻挡层上的钝化层。本实用新型专利技术的薄膜晶体管晶格匹配较好，具有较好的器件稳定性；用于制作显示器件时，提高了刷屏频率，并且保证了图像的质量不受影响。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，尤其涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管与显示>J-U ρ α装直。
技术介绍
氧化物半导体薄膜晶体管TFT是透明非晶氧化物半导体TFT(TAOS-TFT)的代表，被视为新一代显示器用薄膜晶体管(TFT)最有希望的候补技术。近来将其应用于柔性显示器的开发成果接连不断。 一般制备TFT驱动基板的透明金属氧化物材料为IGZ0(indium gallium zincoxide)为铟镓锌氧化物。IGZO制备的TFT基板在空气中稳定性较差，对氧气和水蒸气比较敏感。主要是因为氧气和水蒸气可以透过IGZO上面的保护层，使非晶金属氧化物IGZO性能恶化，因此，需要在IGZO上制备高质量的保护膜，以提高TFT基板的稳定性。另外，IGZO薄膜晶体管TFT具有较好的弯曲性能，并且工艺温度低，可以用来制作柔性基板，同时具有良好的电学性能和稳定性，在未来的柔性显示市场具有良好的发展前景。目前，比较流行的IGZO薄膜晶体管基板的结构为刻蚀阻挡型，在金属氧化物IGZO上加工一层刻蚀阻挡层，用来制作刻蚀阻挡层的材料一般是SiNx或者SiOx，可以在制备源漏电极时保护IGZO层不被破坏，从本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，该氧化物半导体薄膜晶体管包括 形成于基板上的栅金属层； 形成在所述栅金属层上的栅绝缘层； 形成在所述栅绝缘层上的第一过渡层； 形成在所述第一过渡层上的氧化物半导体层，所述第一过渡层的含氧量高于所述氧化物半导体层；以及 形成在所述氧化物半导体层上的阻挡层； 形成在所述阻挡层、所述氧化物半导体层、所述栅绝缘层上的源漏金属层；形成在所述源漏金属层、所述栅绝缘层及部分所述阻挡层上的钝化层。2.如权利要求I所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，还包括形成在所述阻挡层与所述氧化物半导体层之间的第二过渡层，所述第二过渡层的含氧量高于所述氧化物半导体层。3.如权利要求2所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，还包括形成在所述第一过渡层与所述氧化物半导体层的第三过渡层，所述第三过渡层的含氧量高于所述氧化物半导体层并低于所述第一过渡层。4.如权利要求3所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，还包括形成在所述第二过渡层与所述氧化物半导体层之间的第四过渡层，所述第四过渡层含氧量高...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢振宇，徐少颖，阎长江，李田生，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：