【技术实现步骤摘要】
光伏器件的金属触头形成和窗ロ蚀刻停止专利技术背景专利
本专利技术的实施方案通常涉及光伏器件例如太阳能电池，以及用于制造这样的光伏器件的方法。相关技术的描述在引入太阳能电池中的问题是生产电池的当前高成本。这个增加的成本的ー个原因是金属触头形成的方式。在太阳能电池上形成触头的当前生产方法可包括在太阳能电池的吸收层上形成窗ロ层以及在窗ロ层上形成接触层。前金属触头期望在接触层上形成，但蚀刻这样的金属触头需要也可潜在地蚀刻到下面的窗ロ层中的化学蚀刻剂，该窗ロ层具有需要相对精确地被控制的厚度。因此，不同的方法一般用于形成金属触头。 例如，可使用提离エ艺，其中金属层通过使用图案化工艺来蚀刻到前金属触头中，图案化工艺将不在下面的层中蚀刻。在该エ艺中，抗蚀剂或牺牲层沉积在接触层上，抗蚀剂层被图案化到期望金属触头图案的反面，金属沉积在抗蚀剂部分之间的接触层的被暴露部分上，且抗蚀剂层被洗棹。接着，执行单独的湿化学蚀刻步骤，以除去在金属层触头之间的区域中的接触层的被暴露部分，其中可在将不侵袭窗ロ层的接触层上使用化学蚀刻剂。然而，提离エ艺的问题是，这些エ艺往往昂贵且比其它エ艺缓慢，因此...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.02.09 US 13/023,8441.一种用于在光伏器件上的接触图案化的方法，所述方法包括 提供半导体结构，所述半导体结构包括前接触层和在所述前接触层下面的窗ロ层，其中所述窗ロ层还充当蚀刻停止层； 将至少ー个金属层沉积在所述前接触层上； 将抗蚀剂涂敷在所述至少ー个金属层的部分上；以及 蚀穿所述至少ー个金属层和所述前接触层以实现期望的金属化。2.如权利要求I所述的方法，其中所述至少ー个金属层包括镍和铜。3.如权利要求I所述的方法，其中所述至少ー个金属层包括沉积在所述前接触层上的镍层和沉积在所述镍层上的铜层。4.如权利要求I所述的方法，其中所述窗ロ层包括磷化物。5.如权利要求4所述的方法，其中所述磷化物包括AlGaInP和AlInP的至少ー个。6.如权利要求I所述的方法，其中沉积包括将接触金属化沉积在所述前接触层上的敷层。7.如权利要求I所述的方法，其中提供抗蚀剂包括通过将抗蚀剂留在期望金属化的位置上来光刻地图案化所述至少ー个金属层。8.如权利要求I所述的方法，其中所述前接触层是重掺杂的砷化镓(GaAs)接触层。9....
【专利技术属性】
技术研发人员：H·聂，B·M·卡耶斯，I·C·凯兹亚力，
申请(专利权)人：埃尔塔设备公司，
类型：发明
国别省市：
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