【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子机械系统领域，特别涉及一种采用临时释放保护层的非制冷红外探测器加工方法。
技术介绍
目前,非制冷红外探测器主要采用微桥结构的微测福射热计(Microbolometer)技术。其特点在于采用表面微加工工艺制作出悬空于CMOS衬底之上的，以细长悬臂梁支撑的类似于桥的微结构，在业界通称为微桥结构。微桥结构一般具有至少两个锚定孔，作为支撑点以及像元与CMOS的电连接。具有至少一层敏感层材料，目前广泛应用的包括氧化钒和掺杂的非晶硅薄膜。具有至少一层电极材料，用于敏感层与CMOS电路之间的电连接。根据需要，微桥结构往往还包含结构支撑层、释放保护层、以及用于应力平衡、提高红外吸收等目的的各种不同的材料。因此，微桥往往会形成一个相对复杂的结构。对于非制冷红外探测器微桥结构的性能要求，首先要具有良好的热绝缘性能，以利于把吸收的红外辐射最大化地转化为温度变化；其次，要求具有较低的热质量，以保证在高绝热下仍能维持足够小的热时间常数，以满足一定的成像频率；第三，要求具有较高的红外吸收率。从制作工艺方面讲，非制冷红外探测器微桥结构通常采用牺牲层方法的表面微加工工艺技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微电子机械系统表面微加工制作方法，其特征在于 O使用非晶硅作为牺牲层并使用XeF2释放； 2)使用聚酰亚胺作为第一层临时释放保护层； 3)使用光刻胶作为第二层临时释放保护层； 4)MEMS结构至少ー个表面具有容易被XeF2腐蚀的材料。2.根据权利要求I所述表面微加工制作方法制作非制冷探測器的方法，包括以下步骤 1)在半导体衬底上制作金属层，该金属层经过图形化后形成位于微桥主体之下的入射辐射反射层以及与下方CMOS电路至少ー处的电互连； 2)在金属层上制作ニ氧化硅，用于提高非晶硅牺牲层与金属的粘附性； 3)在ニ氧化硅层上制作非晶硅牺牲层； 4)图形化非晶硅及ニ氧化硅层，制作通孔； 5)制作第一层临时释放保护层，并通过图形化的方法去除在通孔底部的临时释放保护层； 6)制作敏感层并图形化； 7)制作电极层并图形化，形成敏感层与CMOS之间的电连接； 8)图形化微桥结构； 9)制作第二层临时释放保护层； 10)利用XeF2释放去除非晶硅牺牲层； 11)利用02等离子体去除临...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜利军，池积光，钱良山，王景道，黄河，
申请(专利权)人：浙江大立科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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