温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于临时释放保护层的微电子机械系统表面微加工方法，特别涉及了所述方法用于非制冷红外探测器制作的方法。包括：在CMOS硅衬底上依次完成金属层、非晶硅牺牲层、第一层临时释放保护层聚酰亚胺；层叠制作敏感层、金属电极层，以及对敏感层...
该专利属于浙江大立科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大立科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。