【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种硅化铁(FeSi2)的制造方法，特别是一种含氧的η-型β -硅化铁(FeSi2)的制造方法。
技术介绍
FeSi2目前被发现会以四种不同的相存在，第一个结晶相为Q-FeSi2，在高温比较稳定(> 940°C )，具有金属的性质；第二个结晶相为P-FeSi2，在低温比较稳定(< 9400C )，为一种半导体材料；近几年，许多研究团队各自发现Si (111)上可长出一层薄的FeSi2，目前大致上可以区分为两种。分别为Y-FeSi2和84必“。这些相无法在一般的相图上发现，因为这些结构并不能形成三维的块材，但却可以薄膜的形式存在。β -FeSi2具有半导体的性质，且在温度低于940°C时比较稳定，具有一约O. 87eV的直接能隙。一个在最外层具有d轨域电子的化合物半导体，对光会有一个较高的吸收系数；而β -FeSi2中含有Fe原子，所以也具有d轨域的电子，且有较高的吸收系数，理论计算上它的转换效率约为23%，而且也经由实验证实具有高的吸收系数(l*105cm-l)。由于对光有高的吸收率，所以作成组件可以做得较薄，既可以节省材料又可以减少制...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.ー种η-型β-硅化铁(FeSi2)的制造方法，在硅晶圆上以化学气相沉积含氧的η-型β -FeSi2,至少包含下列步骤 将ー个多区石英炉管，第一区放置反应所需的前驱物，第二、三区则放入清洗过后的硅晶圆，将石英炉管内的压カ抽至I至10_3torr后通入惰性气体I至30torr，再将压カ抽到I至l(T3torr,此动作反复数次； 升温到水的沸点以上，持温ー个小时将结晶水去除； 通入所需的载流气体，该载流气体的流量大于15sCCm，将前驱物慢慢带到待反应的硅基板上，氧则来自娃晶圆上的氧化层(native oxide),使得金属氯化物在与娃基板反应之前先与氧气反应，而产生Fe-Ο，再与基板反应形成FeSi2 ； 将第二区和第三区的温度升到反应温度并维持一段时间，该反应温度为650°C至950 0C ； 停止加热，在真空下回...
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