一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法技术

本发明专利技术提供了一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法，包括以下步骤：1）在太阳能电池阴极基底上形成金属预置层，所述金属预置层为CuIn、CuGa或CuInGa；2）惰性气氛下将Se和/或S熔融，形成熔融液；3）将形成有金属预置层的太阳能电池阴极基底浸入熔融液中，进行硒化和/或硫化反应，反应完成后即在太阳能电池阴极基底上形成所述光吸收层。本发明专利技术提供的方法通过将金属预置层与熔融的Se和/或S接触，提高硒化和/或硫化的转化率；另外，该方法无需在真空下进行，对设备要求低，操作简单，成本也相对较低，适于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池
，尤其涉及。
技术介绍
薄膜太阳能电池，具有制造成本低、高光电转化效率、抗辐射能力强、性能稳定等优点；其结构一般为减反射层/金属栅状电极/透明电极层/窗口层/过渡层/光吸收层/金属背电极/基底。其中，光吸收层为黄铜矿结构的铜铟硒(CIS)薄膜或铜铟镓硒(CIGS)薄膜。目前，CIGS薄膜的制备方法主要采用溅射后硒化或硫化法，即通过在基底上先磁 控溅射沉积铜铟镓(Cu-In-Ga，简称CIG)形成金属预置层，然后在Se气氛中硒化或在S气氛中硫化形成CIGS薄膜；也可先硒化后硫化或者先硫化后硒化，最终形成所需的或Cu (In，Ga) (Se, S)2化合物半导体薄膜。目前，硒化和/或硫化过程中所采用的Se气氛或S气氛，可直接采用H2Se或H2S气体，也可直接采用固态Se或S气化产生硒原子或硫原子。其中，采用H2Se或H2S气体得到的光吸收层薄膜质量较好，所得的CIS电池能量转化效率也较高，但H2Se、H2S均为剧毒气体，且易燃、造价高，对保存、操作的要求非常严格，大大限制了其应用。CN1547239A中公开了一种光电薄膜材料的制备方法，先在基底上沉积金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法，包括以下步骤 1)在太阳能电池阴极基底上形成金属预置层，所述金属预置层为CuIruCuGa或CuInGa ； 2)惰性气氛下将Se和/或S熔融，形成熔融液； 3)将形成有金属预置层的太阳能电池阴极基底浸入熔融液中，进行硒化和/或硫化反应，反应完成后即在太阳能电池阴极基底上形成所述光吸收层。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，在太阳能电池阴极基底上形成金属预置层的方法为磁控溅射法、加热共蒸发法或电沉积法。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在太阳能电池阴极基底上形成金属预置层的方法为磁控溅射法；采用CuIn合金靶和CuGa合金靶单独溅射，分别形成Culn、CuGa金属预制层；采用CuInGa合金靶单独溅射、或CuIn合金靶和CuGa合金靶同时溅射，形成CuInGa金属预制层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在太阳能电池阴极基底上形成金属预置层的方法为加热共蒸发法；蒸发Cu、In、Ga或其合金，并在阳极基底上共沉积，形成金属预置层。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟北军，曹文玉，周勇，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：