一种太阳电池选择性发射电极结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种太阳能电池选择性发射电极结构及其制作方法。该制作方法包括选择性高掺杂区制作、粘接电极金属丝、低温烘干、高温烧结，将硅片与金属丝通过银浆粘接在一起。采用本发明专利技术方法与结构，不仅可以提高太阳电池的转换效率，而且还能降低其制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种太阳能电池选择性发射电极结构及其制作方法。
技术介绍
晶体硅太阳电池是目前主流的太阳电池，其生产过程依次是去损伤层制绒、扩散、去磷硅玻璃、刻蚀周边、PECVD沉积氮化 硅钝化减反射膜、丝网印刷正反面电极、正反面电极共烧结。其中丝网印刷是目前主要的电极制作方法，但是丝网印刷细栅线很难做到100微米以下，主流设备只能做到120-150微米，这样正面电极的遮光面积达到5-8%，制约了电池效率的进一步提闻。专利CN100576578C给出了一种化学电镀刻槽埋栅的电极制作方法，其细栅线宽度可降低到50微米以下，大幅度减少了正面电极的遮光面积，但是此方法工业化加工难度大,生产成本高。专利CN101483199A给出了一种新型电极结构，其用O. 1-0. 17毫米直径的导电金属丝作为汇流栅线，取消了主栅线，减少了约3毫米宽度的遮光面积，可以提高太阳电池的转换效率，但其制作方法是先采用常规丝网印刷工艺在电池正面印刷银浆制作均匀分布的点状电极，然后把金属丝逐点焊接在该点上，但是这公共工艺过程复杂且耗费时间，将增加工业化成本。选择性发射极(SE)技术是提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池选择性发射电极的制作方法，其特征在于，包括 选择性高掺杂区制作步骤，用选择性掺杂方法在硅片上制作多个点状选择性高掺杂区，所述选择性高掺杂区呈直径0. 08-0. 2毫米的圆点，各个所述点状选择性高掺杂区分布在多条相互平行的直线上，相邻两条所述直线的间距为1-3毫米，位于同一直线上相邻的两个所述选择性高掺杂区间距为0. 5-2毫米； 粘接步骤，用丝网印刷方法将银浆印在所述选择性高掺杂区内，然后将金属丝粘在各条直线上的银浆点上形成细栅线，所述银浆点的直径为0. 05-0. 15毫米； 烘干步骤，将粘接好金属丝的硅片在200°C到400°C的温度条件下进行烘干； 烧结步骤，将烘干后的硅片在700°C到900°C的温度条件下进行烧结，使银浆与硅片之间形成良好的欧姆接触，同时，使银浆与金属丝烧结成完整导体。2.根据权利要求I所述的制作方法，其特征在于 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国保，
申请(专利权)人：陕西众森电能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：