选择性射极结构的电极图形的对齐方法技术

一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法，包括下列步骤：首先提供一基材，接着于基材上形成一障壁层，并图形化障壁层使部分基材暴露出而形成一电极图形区。然后，改变电极图形区的基材的表面特性，以形成一图形化可视标记。随后，移除障壁层。最后以图形化可视标记作为一对准标记。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种在基材的 表面形成对准标记(alignment mark)，并通过对准标记进行对齐以形成选择性射极结构上 的电极图形的方法。
技术介绍
太阳能电池的发电效率主要决定于光电转换效率的高低，而光电转换效率的提升 主要可通过调整下列三项因素达成。第一、提升光吸收能力。太阳能电池的光吸收层在太 阳光的照射下可通过光伏效应(photovoltaic effect)而产生自由电子-电洞对，而当太 阳能电池具有较高的光吸收能力时，可产生较多的自由电子-电洞对，进而产生较大的光 电流。第二、降低电子_电洞对的复合(recombination)。电子-电洞对的复合会造成电 能的损失，而电子-电洞对复合产生的因素主要包括存在于晶粒边界的悬键(dangling bond)，以及太阳能电池内部的缺陷。第三、减少接触电阻。太阳能电池的金属电极与半导体 层之间的接触电阻可通过于半导体层内形成杂质掺杂(impurity doping)的作法来降低， 然而此一作法却会增加电子_电洞对的复合概率。目前业界在高效能太阳能电池的技术中，研发出选择性扩散的技术，可减少接触 电阻，进而提升太本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法，包括：提供一基材；于所述基材上形成一障壁层，并图形化所述障壁层使部分所述基材暴露出而形成一电极图形区；改变所述电极图形区的所述基材的表面特性，以形成一图形化可视标记；移除所述障壁层；以及以所述图形化可视标记作为一对准标记。

【技术特征摘要】
一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法，包括提供一基材；于所述基材上形成一障壁层，并图形化所述障壁层使部分所述基材暴露出而形成一电极图形区；改变所述电极图形区的所述基材的表面特性，以形成一图形化可视标记；移除所述障壁层；以及以所述图形化可视标记作为一对准标记。2.如权利要求1所述的选择性射极结构的电极图形的对齐方法，其特征在于图形化所 述障壁层的步骤包括于所述障壁层上形成一图形化刻蚀材料；利用所述图形化刻蚀材料选择性地刻蚀掉部分所述障壁层，以暴露出部分所述基材；以及移除所述图形化刻蚀材料。3.如权利要求1所述的选择性射极结构的电极图形的对齐方法，其特征在于改变所述 电极图形区的所述基材的表面特性包括改变所述电极图形区的所述基材的一光学反射率。4.如权利要求1所述的选择性射极结构的电极图形的对齐方法，其特征在于所述障壁 层包括一扩散障壁层。5.一种太阳能电池的选择性射极结构的电极图形的对齐方法，包括 提供一基材；于所述基材上形成一障壁层，并图形化所述障壁层使部分所述基材暴露出而形成一电 极图形区；改变所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怀宗，
申请(专利权)人：益通光能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]