一种改善太阳能电池磷扩散均匀性的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善太阳能电池磷扩散均匀性的方法，其步骤包括：（１）将硅片放于扩散炉中，炉内各区温度均升至７００～７８０℃，炉内环境为均匀的氮气气氛，氮气流量８Ｌ／ｍｉｎ～３０Ｌ／ｍｉｎ；（２）待温度稳定后，同时通入携磷源气体０．８Ｌ／ｍｉｎ～２Ｌ／ｍｉｎ，及干氧０．４Ｌ／ｍｉｎ～２．５Ｌ／ｍｉｎ，且保证炉内气体环境均匀，扩散１０～４０分钟；（３）停止通入携磷源气体源和干氧，同步均匀提升炉内各区温度，升温速率＜５℃／ｍｉｎ，升温至８１０～９００℃，扩散１０～４０分钟；（４）降温出舟。本发明专利技术通过均匀的炉内气体及一致的炉内温度，使电池片制备中的磷扩散均匀性得到提高，一定程度上提升了太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造太阳能电池的扩散制结工艺，具体涉及一种改善太阳能电池 磷扩散均勻性的方法。
技术介绍
太阳能电池是一种将光能直接转化为电能的器件，由于其清洁、无污染，取之不 尽，用之不竭，受到越来越多的关注。目前广泛采用的是硅太阳能电池，其制造工艺也已经标准化，主要步骤为化学清 洗及表面结构化处理(制绒)_扩散制结-周边刻蚀_沉积减反射膜-印刷电极-烧结。其 中，扩散制结分为磷扩散与硼扩散，在使用P型硅片制备太阳能电池的情况下，需要在硅片 表面进行磷扩散形成N层，而最终形成PN结，相反，若使用N型硅片制备时，则需要在硅片 表面进行硼扩散来形成PN结。通常以磷扩散制结，该步骤是整个制备过程中的一个关键步骤，其质量会直接影 响到电池的光电转换效率，在工业化生产中，典型的结制备分为两步第一步用氮气通过液 态的三氯氧磷(POCL3),将所需要的杂质(磷)用载流气体(氮、氧)输运至高温半导体材 料表面(硅)，杂质扩散深度约为几百个纳米；第二步是高温处理(即驱入处理)，使预淀积 在表面的杂质原子继续向基体深处扩散，这样就形成了一个N+/N层，这样的结构有利于后 电极的制备。扩散制结所使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善太阳能电池磷扩散均匀性的方法，其步骤包括：（１）将待处理硅片放于扩散炉中，炉内各区温度均升至７００～７８０℃，各温区温差＜５℃，炉内环境为均匀的氮气气氛，氮气流量８Ｌ／ｍｉｎ～３０Ｌ／ｍｉｎ；（２）待温度稳定后，同时通入携磷源气体，流量为０．８Ｌ／ｍｉｎ～２Ｌ／ｍｉｎ，及干氧，流量为０．４Ｌ／ｍｉｎ～２．５Ｌ／ｍｉｎ，且保证炉内气体环境均匀，扩散１０～４０分钟；（３）停止通入携磷源气体源和干氧，同步均匀提升炉内各区温度，升温速率＜５℃／ｍｉｎ，升温至８１０～９００℃，各温区温差＜５℃，扩散１０～４０分钟；（４）降温出舟，完成扩散过程。

【技术特征摘要】
1.一种改善太阳能电池磷扩散均勻性的方法，其步骤包括(1)将待处理硅片放于扩散炉中，炉内各区温度均升至700 780°C，各温区温差 < 5°C，炉内环境为均勻的氮气气氛，氮气流量8L/min 30L/min ；(2)待温度稳定后，同时通入携磷源气体，流量为0.8L/min 2L/min，及干氧，流量为 0. 4L/min 2. 5L/min，且保证炉内气体环境均勻，扩散10 40分钟；(3)停止通入携磷源气体源和干氧，同步均勻提升炉内各区温度，升温速率...

【专利技术属性】
技术研发人员：党继东，黄清，辛国军，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯中国投资有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]