【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
:本技术涉及类金刚石薄膜制造，尤其涉及一种类金刚石薄膜离子源中离子的引出装置。
技术介绍
:化学气相沉积方法制作类金刚石薄膜的原理是:如附图1所示，1、高温钨丝阴极发射热电子;2、工艺气体通过进气管从钨丝背后进入真空腔室后，扩散并充满真空腔室;3、部分电子和工艺气体碰撞，把中性工艺气体电离成碳离子或者碳氢离子;4、碳离子或者碳氢离子沉积在基片表面，形成类金刚石薄膜。为了提高薄膜沉积效率，需要有效地将阴极钨丝发射的电子牵引至离子源的出口，以增加出口处电子和工艺气体分子的碰撞和电离概率，从而增加被电离的工艺气体沉积在基片表面的速度。如附图1所示，目前行业中的设计方法是:1、在离子源的出口设置了正电势的栅极，栅极为平面网状结构，电子受到栅极的吸引聚集在离子源的出口附近，从而增加了出口处的离化的工艺气体的密度;2、基片上施加负电势的偏压，以吸引被离化的带正电的工艺气体。这两种方式可以有效地提高类金刚石薄膜的沉积速率。现有的设计中，存在如下不足之处:1、工艺气体从直径6mm?1mm的狭窄管道进入真空腔室，扩散不均，气体分子密度不均匀，使得空间中离化的气体...
【技术保护点】
一种类金刚石薄膜离子源中离子的引出装置，包括安装于保护外壳左端的隔板，隔板中部横向安装有工艺气体进气管，隔板左端面安装有内部挡板，内部挡板外周的隔板上固定有安装法兰，其特征在于，所述的安装法兰上安装有离子源挡圈，内部挡板外侧间隔安装有工艺气体扩散板，工艺气体扩散板外周设有贯穿安装在内部挡板和隔板上的阳极，阳极与工艺气体扩散板之间设有钨丝。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张心凤，郑杰，尹辉，
申请(专利权)人：安徽纯源镀膜科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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