一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法技术

一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，包括以下步骤：提供单晶硅片进行表面织构化；在硅片的背面贴上磷脂，将硅片放入扩散炉中双面扩散，在硅片的背面形成重掺杂达到吸杂的效果；采用湿法刻蚀将硅片四周的PN结与背面重扩吸杂形成的杂质层去除；然后PECVD沉积钝化减反膜；丝网印刷背面银电极、背面铝背场和正面银电极，烧结形成欧姆接触。本发明专利技术提供太阳能电池重扩磷吸杂酸腐去除杂质层，在扩散的硅片正面达到合适的方块电阻的同时可以在硅片的背面的形成一层磷重扩层达到吸杂的效果，在刻蚀四周N层的同时可以将背面吸杂层一同去除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于太阳能电池生产制作

技术介绍
晶体硅的磷吸杂主要是由于重扩，高浓度的磷产生位错具有捕获杂质的性能达到吸杂的目的。对于晶体硅的吸杂有很多种方法磷吸杂、缺陷吸杂等。传统的磷吸杂有两种1在扩散的同时的就进行吸杂的过程，但是由于为了保证获得合适的方阻并不能进行很大程度的重掺杂来达到很好的吸杂效果；2、先吸杂后制作电池，具体工艺如下(1)清洗、酸洗硅片，将硅片表面的油污及金属杂质去除，(2)高温、高浓度的磷扩散，达到杂质的效果，(3)重新清洗、制绒，将杂质层去除， 并在硅片表面形成金字塔结构的绒面，(4)扩散形成晶体硅太阳能电池所需的方块电阻， (5)等离子刻蚀去除边缘的N层，(6) HF去除扩散形成的磷硅玻璃，(7)丝网印刷形成背电极、背电场、正面电极，烧结形成良好的欧姆接触。采用以上第一种方法是比较简单但是不能起到很好的吸杂的效果，采用第二种方法可以起到较好的吸杂效果，但是工艺相对比较复杂，另外需要进过两次高温，能耗比较大，对硅片产生一定的损伤，对电池转换效率会产生一定的影响。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供， 简化工艺，降低成本，降低能耗，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐冬星，
申请(专利权)人：浙江波力胜新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：