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一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法,包括以下步骤:提供单晶硅片进行表面织构化;在硅片的背面贴上磷脂,将硅片放入扩散炉中双面扩散,在硅片的背面形成重掺杂达到吸杂的效果;采用湿法刻蚀将硅片四周的PN结与背面重扩吸杂形成的杂质层去除;然后PE...该专利属于浙江波力胜新能源科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江波力胜新能源科技有限公司授权不得商用。
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一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法,包括以下步骤:提供单晶硅片进行表面织构化;在硅片的背面贴上磷脂,将硅片放入扩散炉中双面扩散,在硅片的背面形成重掺杂达到吸杂的效果;采用湿法刻蚀将硅片四周的PN结与背面重扩吸杂形成的杂质层去除;然后PE...