【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于运行真空涂层设备、尤其是用于制造薄层太阳能电池的方法,其中在使用清洁气体的情况下设有涂层腔室清洁步骤。
技术介绍
真空涂层设备的一个重要的应用领域是最近基于硅制造薄层太阳能电池。通常对此使用PECVD方法。薄层太阳能电池由p掺杂的和n掺杂的以及具有变化数量的本征层构成。薄层太阳能电池、所谓的串联电池的已知的类型的两种典型的层状结构在附图IA和IB中示出。根据图1A,具有透明传导的前接触层9的玻璃10用作基质。在其之上太阳能电池 由非结晶的硅沉积,所述太阳能电池由p掺杂的层8、本征层7以及n掺杂的层5构成。在其之上接下来分离同样具有P掺杂的层4、本征层3以及n掺杂的层2的微晶的电池。利用另一个透明的、传导的或者金属的反接触层I封闭太阳能电池。各个层也能够分别包括多个部分层。根据图IB的经过修改的结构仅仅通过在(下方的)本征层7与(上方的)n掺杂的层5之间设置了中间反应层6而与根据图IA的配置不同。或者完全在唯一的涂层腔室或者说涂层设备中实现分离,或者在不同的腔室中实现分离,其中通常掺杂的层被本征层隔开。在一次或者多次涂层过程后需要清洁不可避免 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.15 DE 102011005557.61.用于运行真空涂层设备、尤其是用于制造薄层太阳能电池的方法,其中,在使用清洁气体完成涂层腔室清洁步骤之后并且在产品制造步骤之前实施用于将扩散阻碍层(15)涂布到涂层腔室(11)的壁上的涂层分离步骤。2.按权利要求I所述的方法, 其中,在所述涂层腔室清洁步骤中使用含氟的气体作为清洁气体。3.按权利要求I或2所述的方法, 其中,在所述涂层分离步骤中涂布具有硅、氧化硅和/或碳化硅和/或氮化硅的扩散阻碍层(15)。4.按权利要求3所述的方法, 其中,在所述涂层分离步骤中涂布非结晶的或者微晶的或者具有过渡相的硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:C瓦奇坦多夫,
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司,
类型:发明
国别省市:
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