用于砷化镓光伏器件的自-旁路二极管功能制造技术

本发明专利技术的实施方案通常涉及光伏器件。在一个实施方案中，形成砷化镓基光伏器件的方法包括：提供半导体结构，所述结构包括包含砷化镓的吸收层。提供在半导体结构的p-n接面中的旁路功能，其中在反向偏压条件下p-n接面以受控方式通过齐纳击穿效应击穿。

【技术实现步骤摘要】
形成砷化镓基光伏器件的方法和砷化镓基光伏器件
本专利技术的实施方案通常涉及光伏器件(例如太阳能电池)以及制造这些光伏器件的方法。
技术介绍
使用光伏器件例如太阳能电池板的一个问题是在太阳能电池板的部分上形成阴影的问题。如图1中所示，太阳能电池板包括在各模块中串联成串的多个光伏电池10，以提供来自太阳光的增加的功率和电压。然而，这些电池的一部分可能在操作过程中遮阳，这影响整个串或模块的性能。例如，电池12被障碍物遮阳，而其他电池10不是这样的。当一个太阳能电池的电气参数和其他电池的那些明显改变时，发生串联失配。由于穿过电池的电流必须相同，因此来自组合的总电流不能超过遮蔽的电池的电流。在低电压下，当一个太阳能电池被遮蔽而串或模块中剩余部分不是这样时，由未遮蔽的太阳能电池产生的电流可能在遮蔽的电池中消散而不是开动负载。因此，在电流失配的串联结构中，如果较差电池产生较少电流，可以发生严重的功率降低。如果结构在短路或低电压下运行，在遮蔽的电池中高局域化功率耗散可以引起局部“热点”加热、雪崩击穿、以及一个或多个太阳能电池和模块的不可逆损害。在一些太阳能电池上遮蔽的失配效果的一种解决方案是使用一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.09 US 13/023,7331.一种形成砷化镓基光伏器件的方法，该方法包括：提供半导体结构，所述结构包括包含砷化镓的基层，其中所述基层具有4x1017cm-3或更高的掺杂浓度；提供射极层，其中所述射极层具有4x1017cm-3或更高的掺杂浓度，并且具有与所述基层相反的掺杂类型；并且提供中间层，其中所述中间层形成在所述基层和所述射极层之间；并且其中所述中间层的掺杂浓度低于所述基层，从而在所述半导体结构中在所述基层和所述射极层之间形成p-n接面，所述p-n接面提供对所述p-n接面来说固有的旁路功能，其中在反向偏压条件下，所述p-n接面通过齐纳击穿效应击穿。2.权利要求1所述的方法，其中在比引起所述p-n接面的雪崩击穿的电场的量级低的电场中，所述p-n接面通过所述齐纳击穿效应击穿。3.权利要求1所述的方法，其中所述旁路功能为所述光伏器件的所述p-n接面固有，使得所述光伏器件提供没有连接或包括在所述光伏器件中的区别旁路二极管的旁路功能。4.权利要求1所述的方法，其中所述射极层由和所述基层不同的材料制成，并且具有比所述基层更高带隙，其中异质接面在所述射极层和所述基层之间形成。5.权利要求4所述的方法，其中中间层在所述基层和所述射极层之间形成，所述中间层具有和所述基层相同的掺杂类型，并且包括和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·聂，B·M·卡耶斯，I·C·凯兹亚力，
申请(专利权)人：埃尔塔设备公司，
类型：发明
国别省市：