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本发明的实施方案通常涉及光伏器件。在一个实施方案中，形成砷化镓基光伏器件的方法包括：提供半导体结构，所述结构包括包含砷化镓的吸收层。提供在半导体结构的p-n接面中的旁路功能，其中在反向偏压条件下p-n接面以受控方式通过齐纳击穿效应击穿。...
该专利属于埃尔塔设备公司所有，仅供学习研究参考，未经过埃尔塔设备公司授权不得商用。

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