半导体设备，制造设备和制造方法技术

本公开涉及半导体设备，制造设备和制造方法。所述半导体设备包括：布置有成像器件的受光面和第一连接端子的第一板状部件，所述成像器件通过从布置在上面的收集外部光的光收集部分接收入射光来产生图像；设置有将连接到第一连接端子的第二连接端子的第二板状部件；由导电材料制成并与第一连接端子接合的导电接合部分；和连接导电接合部分和第二连接端子的接合线，其中接合线沿着第一板状部件的平面布置，以致来自接合线的反射光不会入射到受光面。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体设备，和制造所述半导体设备的设备和方法。更具体地说，本公开涉及其中抑制可由例如来自设置在成像器件附近的配线的反射光引起的图像质量的退化的半导体设备，本公开还涉及制造这种半导体设备的设备和方法。
技术介绍
例如，如图IA中所示，存在一种充当通过光电转换来自外部的光对被摄物体成像 的照相机模块的半导体设备I。半导体设备I主要由印刷基板21，成像芯片22，红外截止滤光片23和透镜24构成。在半导体设备I中，设置在位于成像芯片22上的成像器件(未示出)的受光面22a附近的电极衬垫(electrode pad) 22b通过金属线接合部分25和金属线26,连接到在印刷基板21上的内部引线21a。电极衬垫22b置于设置在成像芯片22上的凹槽22c的底部。接受通过透镜24和红外截止滤光片23进入的光的受光面22a具有矩形形状。不过，所述光以在包括受光面22a的圆形范围中延伸的光斑的形式，入射到成像芯片22上。于是，当在所述圆形范围内，不仅设置受光面22a，而且设置电极衬垫22b时，光束41a-41c入射到被挤压、从而与电极衬垫22b接合的金属线接合部分25，和连接到金属线接合部分25的金属线26。结果，受光面22a不仅接受通过透镜24和红外截止滤光片23进入的光，而且接受反射的光束，即，入射到金属线接合部分25和金属线26的光束41a-41c的反射。这种情况下，成像芯片22生成的图像具有可由来自在成像芯片22的受光面22a的金属线接合部分25和金属线26的反射光束的接收引起的噪声，比如闪光和重影。在这种情况下，通常使用的避免接受来自金属线接合部分25和金属线26的反射光束的第一种方法是通过如图IB中所示，设置遮光件27，使金属线接合部分25和金属线26与光线41a-41c隔绝。提出的第二种方法是通过远离受光面22a布置成像芯片22的电极衬垫22b，抑制来自金属线接合部分25和金属线26的反射光束(例如，参见JP-A-2006-013979(专利文献 I))。
技术实现思路
按照上面说明的第一种方法，为了使金属线接合部分25和金属线26与光束41a-41c隔绝，同时不阻挡从外部通过透镜24和红外截止滤光片23朝着受光面22a传播的光，必须精确地布置遮光件27。例如，当遮光件27被布置在如图IB中所示的位置时，将入射到受光面22a上的光(的一部分)会被阻挡。相反，当使遮光件27的位置向例如图中右侧偏移时，不能使金属线接合部分25和金属线26与光束41a-41c隔绝。按照第一种方法，半导体设备I的制造需要设置遮光件27的额外处理，并且构成半导体设备I所需的组件的数目增大。从而，按照第一种方法，半导体设备I的制造成本将变得很高。此外，按照第一种方法，半导体设备I变得不合需要地大以容纳遮光件27。按照上述第二种方法，远离受光件22a布置成像芯片22的电极衬垫22b。例如当与其中使电极衬垫22b更接近于受光面22a的结构相比时，这种方法使半导体设备I更大。在这种情况下，理想的是提供一种更小的半导体设备，同时避免用所述设备获得的图像的质量的退化。本公开的实施例目的在于一种半导体设备，包括布置有成像器件的受光面和第一连接端子的第一板状部件，所述成像器件通过从布置在上面的收集外部光的光收集部分 接收入射光来产生图像；设置有将连接到第一连接端子的第二连接端子的第二板状部件；由导电材料制成并与第一连接端子接合的导电接合部分；和连接导电接合部分和第二连接端子的接合线。接合线沿着第一板状部件的平面布置，以致来自接合线的反射光不会入射到受光面。第一连接端子被布置在凹槽的底部，所述凹槽是在第一板状部件的布置有受光面的一面形成的，导电接合部分可被压入由凹槽形成的沟槽中，并接合到第一连接端子。接合线可形成具有突出部，所述突出部从导电接合部分朝着受光面突出，以使导电接合部分与来自光收集部分的入射光隔绝。接合线的突出部可形成为具有根据从接合线和导电接合部分之间的连接部位到第一板状部件的距离所确定的长度，以使导电接合部分与来自光收集部分的入射光隔绝。导电接合部分可以是钉头凸点，或者通过使接合线的尖端部分成球形而形成的金属球。按照本公开的实施例，接合线是沿着第一板状部件的平面布置的，以自来自接合线的反射光不会入射到受光面上。本公开的另一个实施例目的在于一种制造半导体的制造设备，包括使由导电材料制成的导电接合部分与设置在第一板状部件上的第一连接端子接合的接合部分，所述第一板状部件上面布置有成像器件的受光面和第一连接端子，所述成像器件通过从收集外部光的光收集部分接收入射光来产生图像；和线布置部分，所述线布置部分用于沿着第一板状部件的平面布置连接到导电接合部分的接合线，以致来自接合线的反射光不会入射到受光面。第一连接端子被布置在凹槽的底部，所述凹槽是在第一板状部件的布置有受光面的一面形成的，通过把导电接合部分压入由凹槽形成的沟槽中，接合部分可使导电接合部分与第一连接端子接合。线布置部分可布置接合线，并可形成具有从导电接合部分朝着受光面突出的突出部的接合线。线布置部分可形成具有突出部的接合线，以致突出部具有根据从接合线和导电接合部分之间的连接部位到第一板状部件的距离所确定的长度。本专利技术的另一个实施例目的在于由制造半导体的制造设备执行的制造方法，包括使由导电材料制成的导电接合部分与设置在第一板状部件上的第一连接端子接合，所述第一板状部件上面布置有成像器件的受光面和第一连接端子，所述成像器件通过从收集外部光的光收集部分接收入射光来产生图像；和沿着第一板状部件的平面布置连接到导电接合部分的接合线，以致来自接合线的反射光不会入射到受光面。按照本公开的实施例，使由导电材料制成的导电接合部分与设置在第一板状部件上的第一连接端子接合，所述第一板状部件上面布置有成像器件的受光面和第一连接端子，所述成像器件通过从收集外部光的光收集部分接收入射光，产生图像。连接到导电接合部分的接合线是沿着第一板状部件的平面布置的，以致来自接合线的反射光不入射到受光面。按照本公开的实施例，能够提供小尺寸的半导体设备，同时抑制 用所述设备成像的图像的质量的退化。按照本公开的实施例，能够制造小型化的半导体设备，同时抑制用所述设备成像的图像的质量的退化。附图说明图IA和IB是按照现有技术的例证半导体设备的示图；图2A、2B和2C是示意说明照相机模块制造处理的示图；图3D和3E是示意说明照相机模块制造处理的示图；图4是利用照相机模块制造处理制造的例证照相机模块的示图；图5是表示制造照相机模块的制造设备的例证结构的方框图；图6A-6G是说明在本公开的技术中使用的例证引线接合处理的示图；图7A-7D是说明金属线接合部分的形状的调整例子的示图；图8是说明制造设备进行的例证照相机模块制造处理的流程图；图9是说明由引线接合部分进行的例证引线接合处理的流程图；图IOA和IOB是其中金属线也被用作遮光件的例证情况的示图；图11A、11B和IlC是说明形成图IOA和IOB中所示的金属线的形状的第一突出部产生处理的示图；图12A、12B和12C是说明形成图IOA和IOB中所示的金属线的形状的第二突出部产生处理的示图；图13是表示利用按照现有技术的引线接合处理布置的例证金属线的图像；图14是表示利用按照本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.18 JP 2011-0336881.一种半导体设备,包括 布置有成像器件的受光面和第一连接端子的第一板状部件，所述成像器件通过从布置在上面的收集外部光的光收集部分接收入射光来产生图像； 设置有将连接到第一连接端子的第二连接端子的第二板状部件； 由导电材料制成并与第一连接端子接合的导电接合部分；和 连接导电接合部分和第二连接端子的接合线， 其中接合线沿着第一板状部件的平面布置，以致来自接合线的反射光不会入射到受光面。2.按照权利要求I所述的半导体设备，其中 第一连接端子被布置在凹槽的底部，所述凹槽形成于第一板状部件的布置有受光面的一面； 导电接合部分被压入由凹槽形成的沟槽中，并接合到第一连接端子。3.按照权利要求I所述的半导体设备，其中 接合线形成为具有突出部，所述突出部从导电接合部分朝着受光面突出，以使导电接合部分与来自光收集部分的入射光隔绝。4.按照权利要求3所述的半导体设备，其中接合线的突出部形成为具有根据从接合线和导电接合部分之间的连接部位到第一板状部件的距离所确定的长度，以使导电接合部分与来自光收集部分的入射光隔绝。5.按照权利要求I所述的半导体设备，其中导电接合部分是钉头凸点，或者通过使接合线的尖端部分成球形而形成的金属球。6.按照权利要求I所述的半导体设备，其中所述接合线贴近所述第一板状部件的平面布置，从而所述接合线被布置在所述第一板状部件上方高度低的位置。7.—种制造半导体的制造设备，包括 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩渕寿章，清水正彦，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：