【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及带隙基准源,尤其涉及一种应用上与温度无关且低噪声的带隙基准源。
技术介绍
随着电子信息技术的不断发展,各种应用功能的设备中都具有处理实现其功能的芯片。而随着应用环境的不同,其中的芯片有可能工作在一定的温度范围内(工业-4(Γ85 度,军用-55125度),这便需要与温度无关的基准源。此外,对于高性能模拟芯片(如精密放大器,模数转换器等),基准源的噪声将会影响到芯片的性能,因此基准源克服温度干扰以及降低基准源的噪声,对芯片在特定应用环境下的高性能发挥,具有突出的意义。
技术实现思路
鉴于上述现有技术存在的缺陷,本专利技术的目的是提出一种带隙基准源,以满足带隙基准在温度和噪声方面的应用要求。本专利技术目的的一种实现方案为一种带隙基准源,其特征在于包括一个NMOS管Mffls、一个低噪误差放大器AO、一个基极与集电极连接成二极管形式的PNP管Ql和Q2,以及分压电阻Rs和Rf,其中所述PNP管 Ql和Q2的发射极分别连接分压电阻Rf的第一分压支路和分压电阻Rs、Rf相串联的第二分压支路,所述低噪误差放大器的正输入端接入第一分压支路,且其负输入端接入第二分压支路的两分压电阻之间,所述NMOS管Mcas的栅极与低噪误差放大器AO的输出相连,且源极与第一、第二分压支路汇聚相接为带隙基准源的输出Vbg。进一步地,所述低噪误差放大器的结构组成包括由NPN对管Q3和Q4组成的差分对、作为尾电流源的电阻Rtail以及由PMOS管MP3、MP4和电阻IU勾成的源极负反馈负载电路, 其中NPN对管Q3、Q4的基极分别为放大器的正、负输入端,且NPN对管Q4的集电极为低 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带隙基准源,其特征在于包括一个NMOS管M。AS、一个低噪误差放大器AO、一个基极与集电极连接成二极管形式的PNP管Ql和Q2,以及分压电阻Rs和Rf,其中所述PNP 管Ql和Q2的发射极分别连接分压电阻Rf的第一分压支路和分压电阻Rs、Rf相串联的第二分压支路,所述低噪误差放大器的正输入端接入第一分压支路,且其负输入端接入第二分压支路的两分压电阻之间,所述NMOS管Mcas的栅极与低噪误差放大器AO的输出相连,且源极与第一、第二分压支路汇聚相接为带隙基准源的输出Vbg。2.如权利要求1所述的一种带隙基准...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘扬,应峰,何德军,周之栩,牟陟,
申请(专利权)人:思瑞浦苏州微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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