一种监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法技术

本发明专利技术一般涉及半导体制造领域中的一种监测测试方法，更确切的说，本发明专利技术涉及一种监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法。本发明专利技术监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，通过将晶圆阱区中的三重栅层和双栅层实现交叠，在三重栅层和双栅层交叠的地方，能明显观察到很多湿法刻蚀对有源区造成的损伤，以使得在工艺研发阶段及时发现由于湿法刻蚀造成的有源区损伤问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体制造领域中的一种监测测试方法，更确切的说，本专利技术涉及。
技术介绍
传统三重栅氧化层(triple gate oxide)的工艺流程为，如图1-3所示，首先在P 阱(P-well)或N阱(N-well)上进行离子注入(Implant，简称IMP)，在IMP区域上生长厚氧化层(thick gate oxide)，使用三重栅(triple gate，简称TG)层光罩光刻形成图案，以湿法刻蚀TG层被显影开的区域，若使用的厚氧化层、TG层光刻或者湿法刻蚀的工艺没有被优化，则在TG层被刻蚀区域可以随机发现有源区被损伤，但不能被轻易发现；然后生长中等厚度氧化层(medium gate oxide )，使用双栅(Double gate，简称DG)层光罩光刻形成图案，同样以湿法刻蚀DG层被显影开的区域，若中等厚度氧化层、DG光刻或者湿法刻蚀的工艺没有被优化，则同样在DG层被刻蚀区域也可以随机发现有源区被损伤，同样不能被轻易发现。即在传统工艺开发中，如果光刻或湿法刻蚀工艺没有被优化，则湿法刻蚀造成的损伤非常轻微且不易被发现，往往只能在工艺开发后期通过一些可靠性测试才能被发现，不仅延长了工艺开发的周期，且这些被损伤的有源区上生长的栅极氧化层就有可能造成器件的可靠性问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术提供了，其中，包括以下步骤在一晶圆阱区的离子注入区域生长第一类氧化层，进行第一步刻蚀，刻蚀所述第一类氧化层以显影开要被刻蚀的第一区域；完成第一步刻蚀工艺后，并生长第二类氧化层于所述第一区域上，进行第二步刻蚀，刻蚀所述第二类氧化层以显影开要被刻蚀的所述第二区域，进行第二步刻蚀； 其中所述第一区域与所述第二区域有交叠部分。上述的监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其中，所述阱区为P型阱区或N型阱区。上述的监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其中，所述第一类氧化层为厚氧化层。上述的监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其中，所述第一步刻蚀采用湿法刻蚀。上述的监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其中，所述第二类氧化层为中等厚度氧化层。上述的监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其中，所述第二步刻蚀采用湿法刻蚀。本专利技术提出，通过将晶圆阱区中的三重栅层和双栅层实现交叠，在光刻或者湿法刻蚀的工艺没有被优化的前提下，在三重栅层和双栅层交叠的地方，能明显观察到很多湿法刻蚀对有源区造成的损伤，以使得在工艺研发阶段及时发现由于湿法刻蚀造成的有源区损伤问题。本领域的技术人员阅读以下较佳实施例的详细说明，并参照附图之后，本专利技术的这些和其他方面的优势无疑将显而易见。附图说明参考所附附图，以更加充分的描述本专利技术的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本专利技术范围的限制。图1是本专利技术
技术介绍
中传统工艺流程IMP区域的示意图2是本专利技术
技术介绍
中传统工艺流程TG层和DG层刻蚀后的示意图； 图3是本专利技术
技术介绍
中传统工艺流程有源区受损伤示意图； 图4-9是本专利技术监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法的流程图； 图10是本专利技术工艺流程后有源区受损伤示意图。具体实施例方式参见图4-9所示，本专利技术，其中，包括以下步骤首先，在一晶圆阱区上进行离子注入(Implant,简称IMP)，阱区1为P阱(P_well)或N 阱(Niell)，并在IMP区域1上生长厚氧化层(thick gate oxide) 2，采用三重栅(triple gate,简称TG)层光罩光刻并形成图案，以湿法刻蚀TG层被显影开的区域3上的厚氧化层 21，以形成第一区域31 ；其中，在第一区域31中随机会有损伤图案4出现，但并不易被发现。然后，在第一区域31上生长中等厚度氧化层(medium gate oxide) 5，使用双栅 (Double gate,简称DG)层光罩光刻形成图案，同样以湿法刻蚀DG层被显影开的区域6形成第二区域61，其中，第二区域61和第一区域31有重叠区域7 ；其中，在DG层被刻蚀区域也可以随机发现有源区被损伤图案8，且在重叠区域7中能明显观察到有很多损伤图案4和损伤图案8 ；如图10所示，以使得在整个晶圆9的各个区域都可以被轻易的发现损伤区域 10。若所使用的生长厚氧化层、TG层光刻或湿法刻蚀的工艺，或生长中等厚度氧化层、 DG光刻或湿法刻蚀的工艺没有被优化，则晶圆9上的损伤区域10会更多，发现也较为容易。交叠区域7可以放大刻蚀湿法对有源区所造成的损伤，在整个晶圆9的各个区域都可以被轻易的发现，并根据此损伤情况对工艺的缺陷进行调整。本专利技术提出的测试方法，使TG层和DG层实现交叠，在TG层和DG层交叠的地方， 湿法刻蚀会可能造成有源区损伤，即通过TG层和DG层实现交叠，使湿法刻蚀造成的有源区损伤得到放大，从而可以快速有效的在工艺研发阶段发现由于湿法刻蚀造成的有源区损伤问题，以尽快得以解决。通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，例如，本案是以TG层和DG层实现交叠进行阐述，基于本专利技术精神，还可作其他的转换。尽管上述专利技术提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。 对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。 因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本专利技术的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本专利技术的意图和范围内。权利要求1.，其特征在于，包括以下步骤 在一晶圆阱区的离子注入区域生长第一类氧化层，进行第一步刻蚀，刻蚀所述第一类氧化层以显影开要被刻蚀的第一区域；完成第一步刻蚀工艺后，并生长第二类氧化层于所述第一区域上，进行第二步刻蚀，刻蚀所述第二类氧化层以显影开要被刻蚀的所述第二区域，进行第二步刻蚀； 其中所述第一区域与所述第二区域有交叠部分。2.如权利要求1所述的监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其特征在于， 所述阱区为P型阱区或N型阱区。3.如权利要求1所述的监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其特征在于， 所述第一类氧化层为厚氧化层。4.如权利要求1所述的监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其特征在于， 所述第一步刻蚀采用湿法刻蚀。5.如权利要求1所述的监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其特征在于， 所述第二类氧化层为中等厚度氧化层。6.如权利要求1所述的监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其特征在于， 所述第二步刻蚀采用湿法刻蚀。全文摘要本专利技术一般涉及半导体制造领域中的一种监测测试方法，更确切的说，本专利技术涉及。本专利技术监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，通过将晶圆阱区中的三重栅层和双栅层实现交叠，在三重栅层和双栅层交叠的地方，能明显观察到很多湿法刻蚀对有源区造成的损伤，以使得在工艺研发阶段及时发现由于湿法刻蚀造成的有源区损伤问题。文档编号H01L21/66GK102420099SQ20111016031公开日2012年4月18日 申请日期2011年6月15日 优先权日2011年6月15日专利技术者姬峰, 张亮, 胡友存, 陈玉文 申请人:上海华力微电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姬峰，胡友存，陈玉文，张亮，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：