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本发明一般涉及半导体制造领域中的一种监测测试方法，更确切的说，本发明涉及一种监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法。本发明监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，通过将晶圆阱区中的三重栅层和双栅层实现交叠，在三重栅层和双栅层交叠的地方，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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