一种紧凑型激光芯片制造技术

技术编号:7243731 阅读:359 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种紧凑型激光芯片的设计和制备,它是利用Nd:YVO4激光晶体1.06um的基频光,经非线性晶体PPLN(Periodically?poled?lithium?niobate)倍频获得0.53um的倍频绿光。该芯片由激光晶体Nd:YVO4、非线性光学晶体PPLN(或磷酸钛氧钾KTP、三硼酸锂LBO、周期性极化磷酸钛氧钾PPKTP、周期性极化钽酸锂PPLT等)、热沉Si或AlN,以及镀制在两块晶体表面光学薄膜组成的谐振腔构成。其特点是:激光晶体和非线性光学晶体通过焊料(或胶),在保证两腔面平行的情况下,将其焊接(或胶合)在热沉上。这种激光芯片结构设计简单,体积小,成本低,便于大批量生产;使用时候只要配上合适的半导体泵浦源即可输出特定波长的绿光,有望在激光显示中获得广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于激光
,特别是涉及一种紧凑型激光芯片的设计和制备。
技术介绍
与等离子体、液晶等其它现有的显示技术相比,激光显示技术在亮度和色域方面有着无可比拟的优越性,其推广和应用需要体积小,成本低的红-绿-蓝(RGB)激光器。 LD泵浦的全固态绿光激光器,大都采用Nd:YV04晶体材料1. 06um的基频光,经非线性晶体 KTP (或LB0)倍频获得0. 53um的倍频绿光。如图1所示,其中构成谐振腔的全反镜、输出镜以及Nd: YV04晶体、KTP晶体均为分离元件,需逐一调整,因而给激光器带来体积大、调整困难、成本高等一系列问题。现有的绿光晶体组件,大都采用紫外胶固化法,将Nd:YV04晶体和KTP晶体准直后加胶固化。如图2所示,由于在晶体定向、加工、准直及固化过程中均存在误差,粘结成品率较低,一般在50%,从而大大提高了器件成本,而且器件在工作过程中,容易形成开胶。
技术实现思路
本专利技术涉及一种紧凑型激光芯片的设计和制备。该激光芯片由激光晶体Nd:YV04、 非线性光学晶体PPLN(或KTP、LBO、PPKTP、PPLT等)、热沉Si或A1N,以及镀制在两块晶体表面光学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:苏红平宋国才
申请(专利权)人:南京长青激光科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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