芯片光刻制程中油浸式曝光方法技术

本发明专利技术涉及芯片的光学刻制加工方法，尤其是指芯片光刻制程中油浸式曝光方法。其特征在于包括下述的步骤：（１）首先在光刻机的光罩透镜系统中置入曝光介质；（２）在曝光反应室内，在“对准和曝光”工序之前芯片加涂曝光介质；（３）平展芯片表面上的曝光介质，使其均匀一致且不得出现气泡；（４）将光罩移至芯片之上，微调下降透镜系统，使透镜镜片触及芯片上的曝光介质。所说的曝光介质是植物油并优选一种香柏油。采用本发明专利技术以油为介质的油浸式曝光方法，不仅可以刻制出比曝光波长还小的图形，而且避免了昂贵的费用投资。本发明专利技术实为一种有益的改进。

【技术实现步骤摘要】
芯片光刻制程中油浸式曝光方法
本专利技术涉及芯片的光学刻制加工方法，尤其是指芯片光刻制程中的曝光方法。
技术介绍
芯片属于高科技中的微电子
，主要用于计算机、通讯、军工以及航天及制造业等，并随着社会的发展也已广泛进入与人们日常生活紧密相连的各个领域。而且随着芯片技术的广泛应用更加促进了其自身的飞速发展，一方面是芯片的性能和使用功能日益扩大，而芯片的外观特征尺寸则越来越小，以至于使芯片逐步进入微小或超微状态。无论芯片的特征尺寸如何微小，必须首要保证印制在芯片上电路图形的精确度和足够的分辨率。为此，芯片的光刻制造加工则是其中的关键技术。例如，集成电路的更新换代有赖于光刻技术的发展，对每一代集成电路技术都要研发新一代特定的光刻技术。长期以来采用的光刻方法——以空气为光束传播介质的方法——将随着特征尺寸减小到100纳米以下而遭遇瓶颈。一般认为，利用光学光刻方法印制微细图形已接近极限。目前光学光刻方法已从接触接近式、反射投影式、步进投影式发展到扫描投影式。其他可能取代光学光刻方法的新技术正在开发，比如：电子投影光刻技术(EPL)、离子投影光刻技术(IPL)、X-射线光刻技术、电子束直写本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片光刻制程中油浸式曝光方法，其特征在于包括下述的步骤：（１）首先在光刻机的光罩透镜系统中置入曝光介质；（２）在曝光反应室内，在“对准和曝光”工序之前芯片加涂曝光介质；（３）平展芯片表面上的曝光介质，使其均匀一致且不得出现气泡；（４）将光罩移至芯片之上，微调下降透镜系统，使透镜镜片触及芯片上的曝光介质。

【技术特征摘要】
1、一种芯片光刻制程中油浸式曝光方法，其特征在于包括下述的步骤：(1)首先在光刻机的光罩透镜系统中置入曝光介质；(2)在曝光反应室内，在“对准和曝光”工序之前芯片加涂曝光介质；(3)平展芯片表面上的曝光介质，使其均匀一致且不得出现气泡；(4)将光罩移至芯片之上，微调下降透镜系统，使透镜镜片触及芯片上的曝光介质。2、按权利要求1所述芯片光刻制程中油浸式曝光方法，其特征在于曝光介质是一种油脂。3、按权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓，
申请(专利权)人：朱晓，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]