一种半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有高压单元区和低压单元区，及位于高压单元区和低压单元区间的隔离结构；在所述高压单元区的衬底上，通过热氧化形成均匀的高压栅极氧化层；在所述低压单元区的衬底上，形成低压栅极氧化层。本发明专利技术通过干氧氧化工艺形成高压栅极氧化层，所述干氧氧化工艺形成的氧化层生长速度慢，内部的应力具有充分时间进行释放，且能够更好地释放后续膜层对其累积的应力，不会造成导体器件内部的其他结构，如隔离结构发生裂缝或断痕。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及。
技术介绍
近年来，随着电子产业的蓬勃发展，集成半导体器件受到广泛运用，集成半导体器件的工艺技术也随之迅速发展。集成半导体器件需要具有不同工作电压的单元密切配合，例如在系统集成器件 (System On Chip，简称S0C)中，通过将低压单元和高压单元等集成形成在一个器件上，可以实现更强大的功能。所述低压单元和高压单元由不同晶体管构成。因为晶体管的工作电压与晶体管的栅极氧化层的厚度成正比，所以低压单元需要栅极氧化层较薄的晶体管提供低工作电压，而高压单元需要栅极氧化层较厚的晶体管提供高工作电压。专利申请号为200410093450. 6的中国专利申请中提供了一种形成不同厚度栅极氧化层的半导体器件形成方法，包括提供衬底，所述衬底包括有高压单元区和低压单元区，及位于所述高压单元区和低压单元区间的隔离结构；在所述衬底上依次形成氧化硅层和氮化硅层；去除高压单元区的氮化硅层和氧化硅层；通过热氧化工艺，在所述高压单元区的衬底上形成高压栅极氧化层；最后，去除低压单元区的氮化硅层和氧化硅层，通过热氧化工艺形成低压栅极氧化层。图1为现有技术半导体器件形成方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邵丽，巨晓华，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：