本实用新型专利技术揭示了一种磁控溅射镀膜装置，包括一真空室，真空室的侧壁上设有至少一个磁控溅射阴极，真空室内设有圆形的基片转架，基片转架上竖直放置有至少一个的基片，基片的外侧的基片转架上套设有圆柱状的遮蔽罩；遮蔽罩上开设有与所述磁控溅射阴极对应的纵向开口，纵向开口的开口形状为双曲线，纵向开口的双曲线与磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线一致。本实用新型专利技术使需要被涂层的基片始终处在磁控溅射阴极的均匀镀膜有效区域内，提高了平面矩形磁控溅射镀膜的纵向均匀性，解决了基片上薄膜厚度不均匀的问题；结构简单，生产成本低，生产效率高，镀膜均匀性效果好。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术属于金属表面镀膜领域，尤其涉及一种磁控溅射镀膜装置。
技术介绍
磁控溅射的工作原理是被离化的Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或离子沉积在基片上形成薄膜。如图1和图2所示，磁控溅射靶101固定在腔体102壁上，靶材的溅射粒子105沉积在基片103上形成薄膜。基片103安装在腔体102中心的旋转架104上，每个基片103随旋转架104—起绕旋转架104的轴线转动，在磁控溅射镀膜过程中，基片103相对于磁控溅射靶101靶面的位置在不停的变化，且只在一个旋转周期的一段时间内经过涂层区域。在沉积过程中由于实际设备中气氛压力、电场和磁场的分布不均，会导致沉积速率延纵向高度而不同，实际沉积速率或在基片上的薄膜厚度并不均勻，沉积速率或在基片上薄膜厚度在空间分布曲线图如图3所示，其中X轴代表薄膜厚度(μ m)，Y轴代表基片的纵向距离。
技术实现思路
鉴于上述现有技术存在的缺陷，本技术的目的是提出一种可提高基片镀膜纵向均勻性的磁控溅射镀膜装置。本技术的目的将通过以下技术方案得以实现一种磁控溅射镀膜装置，包括一真空室，所述真空室的侧壁上设有至少一个磁控溅射阴极，所述真空室内设有圆形的基片转架，所述基片转架上竖直放置有至少一个的基片，所述基片的外侧的基片转架上套设有圆柱状的遮蔽罩；所述遮蔽罩上开设有与所述磁控溅射阴极对应的纵向开口，所述纵向开口的开口形状为双曲线，所述纵向开口的双曲线与所述磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线一致。优选的，上述的一种磁控溅射镀膜装置，其中所述遮蔽罩与所述基片转架固定连接。优选的，上述的一种磁控溅射镀膜装置，其中所述磁控溅射阴极为平面矩形磁控溅射阴极。本技术的突出效果为根据磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线的特点，在基片前面装置遮蔽罩，以实现遮挡作用，使需要被涂层的基片始终处在磁控溅射阴极的均勻镀膜有效区域内，本技术提高了平面矩形磁控溅射镀膜的纵向均勻性，解决了基片上薄膜厚度不均勻的问题。本技术结构简单，生产成本低，生产效率高，镀膜均勻性效果好。以下便结合实施例附图，对本技术的具体实施方式作进一步的详述，以使本技术技术方案更易于理解、掌握。附图说明图1是现有技术的结构示意图；图2是现有技术的俯视图；图3是现有技术的磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线；图4是本技术实施例1的结构示意图；图5是本技术实施例1的遮蔽罩的结构示意图；图6是本技术实施例1的遮蔽罩的主视图。具体实施方式实施例1本实施例的一种磁控溅射镀膜装置，如图4所示，包括真空室1，真空室1的侧壁上设有6个磁控溅射阴极2，磁控溅射阴极2为平面矩形磁控溅射阴极。真空室1内设有圆形的基片转架3，基片转架3上竖直放置有6个基片4，基片4的外侧的基片转架3上套设有圆柱状的遮蔽罩5 ；所述遮蔽罩5与基片转架3固定连接，不随基片转架3和基片4转动。如图5和图6所示，遮蔽罩5上开设有与磁控溅射阴极2对应的纵向开口 6，纵向开口 6的纵向的开口形状为双曲线，此曲线与磁控溅射阴极2的沉积速率空间曲线是一致的。本实施例根据磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线的特点，在基片4前面装置遮蔽罩5，以实现遮挡作用，使需要被涂层的基片4始终处在磁控溅射阴极2的均勻镀膜有效区域内，本实施例提高了平面矩形磁控溅射镀膜的纵向均勻性，解决了基片上4薄膜厚度不均勻的问题。本实施例结构简单，生产成本低，生产效率高，镀膜均勻性效果好。本技术尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种磁控溅射镀膜装置，包括一真空室，所述真空室的侧壁上设有至少一个磁控溅射阴极，其特征在于所述真空室内设有圆形的基片转架，所述基片转架上竖直放置有至少一个的基片，所述基片的外侧的基片转架上套设有圆柱状的遮蔽罩；所述遮蔽罩上开设有与所述磁控溅射阴极对应的纵向开口，所述纵向开口的开口形状为双曲线，所述纵向开口的双曲线与所述磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线一致。2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于所述遮蔽罩与所述基片转架固定连接。3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于所述磁控溅射阴极为平面矩形磁控溅射阴极。专利摘要本技术揭示了一种磁控溅射镀膜装置，包括一真空室，真空室的侧壁上设有至少一个磁控溅射阴极，真空室内设有圆形的基片转架，基片转架上竖直放置有至少一个的基片，基片的外侧的基片转架上套设有圆柱状的遮蔽罩；遮蔽罩上开设有与所述磁控溅射阴极对应的纵向开口，纵向开口的开口形状为双曲线，纵向开口的双曲线与磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线一致。本技术使需要被涂层的基片始终处在磁控溅射阴极的均匀镀膜有效区域内，提高了平面矩形磁控溅射镀膜的纵向均匀性，解决了基片上薄膜厚度不均匀的问题；结构简单，生产成本低，生产效率高，镀膜均匀性效果好。文档编号C23C14/35GK202157113SQ20112020112公开日2012年3月7日 申请日期2011年6月15日 优先权日2011年6月15日专利技术者赵红艳, 钱涛 申请人:星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种磁控溅射镀膜装置，包括一真空室，所述真空室的侧壁上设有至少一个磁控溅射阴极，其特征在于：所述真空室内设有圆形的基片转架，所述基片转架上竖直放置有至少一个的基片，所述基片的外侧的基片转架上套设有圆柱状的遮蔽罩；所述遮蔽罩上开设有与所述磁控溅射阴极对应的纵向开口，所述纵向开口的开口形状为双曲线，所述纵向开口的双曲线与所述磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线一致。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵红艳，钱涛，
申请(专利权)人：星弧涂层科技苏州工业园区有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32
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