一种磁控溅射镀膜装置制造方法及图纸

技术编号:7185547 阅读:314 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术揭示了一种磁控溅射镀膜装置,包括一真空室,真空室的侧壁上设有至少一个磁控溅射阴极,真空室内设有圆形的基片转架,基片转架上竖直放置有至少一个的基片,基片的外侧的基片转架上套设有圆柱状的遮蔽罩;遮蔽罩上开设有与所述磁控溅射阴极对应的纵向开口,纵向开口的开口形状为双曲线,纵向开口的双曲线与磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线一致。本实用新型专利技术使需要被涂层的基片始终处在磁控溅射阴极的均匀镀膜有效区域内,提高了平面矩形磁控溅射镀膜的纵向均匀性,解决了基片上薄膜厚度不均匀的问题;结构简单,生产成本低,生产效率高,镀膜均匀性效果好。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于金属表面镀膜领域,尤其涉及一种磁控溅射镀膜装置
技术介绍
磁控溅射的工作原理是被离化的Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或离子沉积在基片上形成薄膜。如图1和图2所示,磁控溅射靶101固定在腔体102壁上,靶材的溅射粒子105沉积在基片103上形成薄膜。基片103安装在腔体102中心的旋转架104上,每个基片103随旋转架104—起绕旋转架104的轴线转动,在磁控溅射镀膜过程中,基片103相对于磁控溅射靶101靶面的位置在不停的变化,且只在一个旋转周期的一段时间内经过涂层区域。在沉积过程中由于实际设备中气氛压力、电场和磁场的分布不均,会导致沉积速率延纵向高度而不同,实际沉积速率或在基片上的薄膜厚度并不均勻,沉积速率或在基片上薄膜厚度在空间分布曲线图如图3所示,其中X轴代表薄膜厚度(μ m),Y轴代表基片的纵向距离。
技术实现思路
鉴于上述现有技术存在的缺陷,本技术的目的是提出一种可提高基片镀膜纵向均勻性的磁控溅射镀膜装置。本技术的目的将通过以下技术方案得以实现一种磁控溅射镀膜装置,包括一真空室,所述真空室的侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控溅射镀膜装置,包括一真空室,所述真空室的侧壁上设有至少一个磁控溅射阴极,其特征在于:所述真空室内设有圆形的基片转架,所述基片转架上竖直放置有至少一个的基片,所述基片的外侧的基片转架上套设有圆柱状的遮蔽罩;所述遮蔽罩上开设有与所述磁控溅射阴极对应的纵向开口,所述纵向开口的开口形状为双曲线,所述纵向开口的双曲线与所述磁控溅射阴极的沉积速率空间曲线一致。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵红艳钱涛
申请(专利权)人:星弧涂层科技苏州工业园区有限公司
类型:实用新型
国别省市:32

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