【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种按照权利要求1或权利要求14前序部分所述的通过气相沉积、尤其是通过根据PVD方法(Physical Vapour D印osition物理气相沉积)或反应式的PVD方法的物理气相沉积的用于基片组件的表面处理和/或表面涂敷的设备和方法。用这类方法或用这种设备实现在工件表面、也就是说基片组件上涂敷非常薄的涂层,例如防腐层或磨损保护层,例如硬质合金涂层,例如基于钛的硬质合金涂层。这类薄涂层通常应用在刀具制造中、尤其是应用在切削加工的精密刀具例如钻孔工具、铣削刀具或铰刀的制造中。
技术介绍
在CVD (化学气相沉积)方法中用900至1100°C的较高的过程温度工作,而在PVD 过程中过程温度明显低些,也就是说大约在100至600°C之间。根据该方法,涂敷材料首先通过使用合适的物理作用例如通过电子束、电弧(电弧PVD)或通过阴极溅射进行蒸发。蒸发的材料然后撞击到基片表面上,在所述基片表面上形成涂层。以便蒸气粒子到达基片,必须以低价进行工作。在该过程中存在直线的粒子运动,从而必须使基片移动,借此,整个基片表面能够均勻的和勻质的涂敷。但是,在PVD方法中的低的 ...
【技术保护点】
1.用于通过气相沉积、尤其是根据PVD方法(物理气相沉积)或反应式的PVD方法的物理气相沉积对基片组件进行表面处理和/或表面涂敷的设备,包括可抽真空的沉积或处理腔室,在所述沉积或处理腔室中设置多个基片载体(26)和多个涂敷和/或处理单元(12、14、16)(蒸发源、阴极、靶、磁控管、加热单元、丝状阴极和腐蚀阳极),其特征在于,设备的模块化的可装备性,即:在一个批次中装入到设备内的基片组件(56)能够经受不同的处理(涂敷、表面处理)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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