【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于在待处理的衬底的表面成膜的；本专利技术 特别涉及一种DC磁控方式的。
技术介绍
这种DC磁控方式的溅射装置，例如在半导体设备的制作中的成膜工序中使用。随 着近年来配线图案的细微化，对于这种用途的溅射装置强烈要求提高覆盖度，即要求针对 具有大纵横比(aspect ratio)的细微空穴(via holes)，能够在待处理衬底的整个表面上 覆盖性良好地成膜。一般而言，对于上述溅射装置，在例如靶的后方(背向溅射面的一侧)，配置有包 括以交替改变极性的方式而设置多个磁铁的磁铁组件；通过该磁铁组件在靶的前方(溅射 面侧)产生隧道状的磁场，在靶的前方捕捉电离的电子及因溅射而产生的二次电子，从而 提高靶前方的电子密度并提高等离子体密度。对于这样的溅射装置，在靶中的受到上述磁场影响的区域优先溅射。由此，如果从 放电稳定性、提高靶的使用效率等方面考虑，上述区域处于例如靶中央区域附近，那么溅射 时的靶的侵蚀量在该中央区域附近变大。在这种情况下，从靶溅射的靶材粒子(例如金属 粒子，以下称为“溅射粒子”)便以倾斜的角度入射并附着在衬底的外周部。其结果是，在用 上述...
【技术保护点】
一种溅射装置，用于对设置于真空室内的衬底的表面成膜，该装置包括：与所述衬底相对设置的靶，在所述靶的溅射面前方产生磁场的磁铁组件，将溅射气体导入所述真空室内的气体导入装置，以及对所述靶施加负电位的溅射电源，其特征在于：还具有用以产生一垂直磁场的磁场产生装置，该磁场的磁力线垂直通过所述靶的溅射面及整个衬底的表面，且磁力线之间有规定的间距。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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