溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明专利技术一个实施方式的溅射装置用于使基板（１０）的被处理面上形成薄膜，具有：真空槽（６１）、支承机构（９３）、溅射靶（８０）、磁体（８３）。磁体（８３）用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域（８０ａ），并且，该磁体（８３）使所述溅射区域（８０ａ）在与所述被处理面相正对着的第１位置以及不与所述被处理面相正对着的第２位置间移动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在基板上形成薄膜的溅射装置、使用该溅射装置的薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。
技术介绍
现有技术中，在基板上形成薄膜的工序中一般使用溅射装置。溅射装置具有溅射靶(下面也会称为“靶”)与等离子体产生装置，其中，溅射靶配置在真空槽的内部，等离子体产生装置用于使溅射靶的表面附近产生等离子体。在溅射装置中，用等离子体中的离子对溅射靶的表面进行轰击，使从该溅射靶上被激起的粒子(溅射粒子)淀积在基板上从而形成薄膜(例如，参照专利文献1)。现有技术文献 专利文献 专利文献1 日本专利技术专利公开公报特开2007-39712号
技术实现思路
通过溅射法形成的薄膜(下面称为溅镀膜)，由于从溅射靶飞来的粒子以较高的能量入射到基板的表面，因而，与通过真空蒸镀法等形成的薄膜相比，薄膜与基板之间的紧密性(贴合性)较好。然而，用于形成溅镀膜的衬底层(衬底膜或者衬底基板)和入射的溅射粒子之间的碰撞会使衬底层容易受到损伤。例如，在用溅射法形成薄膜晶体管的活性层时，由于衬底层受到损伤而有时不能获得所期望的特性。有鉴于此，本专利技术的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的。解决技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种溅射装置，用于使基板的被处理面上形成薄膜，其特征在于，包括：真空槽，其能够维持在真空状态；支承部，其配置在所述真空槽的内部，用于支承所述基板；溅射靶，其平行于被所述支承部支承的所述基板的被处理面配置且具有溅射面；等离子体产生机构，其用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域，并且，该等离子体产生机构使所述溅射区域在不与所述被处理面相正对着的第１位置以及与所述被处理面相正对着的第２位置间移动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP2008-2679182008年10月16日1.一种溅射装置，用于使基板的被处理面上形成薄膜，其特征在于，包括 真空槽，其能够维持在真空状态；支承部，其配置在所述真空槽的内部，用于支承所述基板； 溅射靶，其平行于被所述支承部支承的所述基板的被处理面配置且具有溅射面； 等离子体产生机构，其用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域，并且，该等离子体产生机构使所述溅射区域在不与所述被处理面相正对着的第1位置以及与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。2.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述等离子体产生机构包括用于在所述溅射靶的所述溅射面一侧形成磁场的磁体， 所述磁体的配置位置能够相对于所述支承部移动。3.根据权利要求2所述的溅射装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：仓田敬臣，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP