【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于在基板上形成薄膜的溅射装置和使用该装置的薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。
技术介绍
现有技术中，在基板上形成薄膜时的工序中使用溅射装置。所述溅射装置具有溅射靶(以下称为“靶”)，其设置在真空室内部；等离子产生机构，由其在靶的表面附近产生等离子。由溅射装置形成薄膜的方法如下由等离子中的离子使溅射靶的表面产生溅射，再将溅射出的粒子(溅射粒子)堆积在基板上从而形成薄膜(参照专利文献1)。 专利文献1日本专利技术专利公开公报特开2007-39712号 对于由溅射法形成的薄膜(以下也称为“溅射薄膜”)，由于从靶中飞出的溅射粒子会以较大能量射入基板表面，因此与采用真空蒸镀法等形成的薄膜相比，所述溅射薄膜与基板之间的贴合性较高。所以溅射薄膜有可能出现以下问题用来形成溅射薄膜的衬底层(衬底膜或者衬底基板)因与入射的溅射粒子有冲撞而容易产生较大的损伤。如果采用溅射法形成薄膜晶体管的活性层时，因衬底层的损伤而无法获得所需的薄膜特性。
技术实现思路
鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种可减少衬底层损伤的。为实现上述目的，本专利技术一个实施方式...
【技术保护点】
１．一种在基板上形成薄膜的溅射装置，其特征在于，具有：真空室，其能保持真空状态；多个靶，其具有溅射面并以直线状态排列在所述真空室内部；支承部，其具有支承基板的支承区域并固定在所述真空室内部；等离子产生机构，由其沿着所述靶的排列方向依次产生等离子，由该等离子使所述各靶的溅射面产生溅射。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP2008-2674692008年10月16日1.一种在基板上形成薄膜的溅射装置，其特征在于，具有 真空室，其能保持真空状态；多个靶，其具有溅射面并以直线状态排列在所述真空室内部； 支承部，其具有支承基板的支承区域并固定在所述真空室内部； 等离子产生机构，由其沿着所述靶的排列方向依次产生等离子，由该等离子使所述各靶的溅射面产生溅射。2.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述多个靶中位于所述排列方向的最上游一侧的靶部位于所述支承区域的外侧， 将对所述靶部进行溅射处理而生成的溅射粒子斜向射入所述支承部中。3.根据权利要求2所述的溅射装置，其特征在于，所述等离子产生机构具有能在所述溅射面上形成磁场的磁铁，该磁铁分别设置在所述各靶的位置上，该磁铁能够沿着所述排列方向移动。4.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于， 所述多个靶均由同一种材料构成...
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