由ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）结晶相形成的氧化物半导体用溅射靶材及其制造方法技术

本发明专利技术提供含有Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ的氧化物半导体用溅射靶材及其制造方法，以及使用溅射靶材的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管的形成方法。其中溅射靶材由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结含有具有ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）所示同系结晶结构的化合物，且Ｘ射线衍射中２θ＝６２～６３度之间的峰为ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）的最大峰的３％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及由结晶相形成的氧化物半导体用溅射靶材及其制造方 法，以及使用溅射靶材的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管的形成。
技术介绍
场效应型晶体管被广泛作为半导体记忆集成电路的单元电子元件、高频信号增幅 元件、液晶驱动用元件等用，现在为最大量实用化的电子装置。其中近年来伴随着显示装置的显著发展，除了液晶显示装置(LCD)外，电致发光 显示装置(EL)及场致发射显示器(FED)等各种显示装置也多使用薄膜晶体管(TFT)作为 对显示元件施加驱动电压以驱动显示装置的开关元件。另外，该材料最常使用硅半导体化合物。一般需高速运作的高频增幅元件、集成电 路用元件等中使用硅单结晶，而液晶驱动用元件等由于要求大面积化而使用非晶硅。但结晶性的硅系薄膜为了追求结晶化，例如需800°C以上的高温，因此难形成于玻 璃基板上及有机物基板上。故不仅只能形成于硅硅晶片或石英等耐热性较高的高价基板上 外，而且有制造时，需要大量能量和较多工序数等的问题。另外，结晶性的硅半导体中，难均勻制造适用于大型电视等的大面积半导体，且难 以实现通过掩模片数的删减来降低成本。另一方面，可以在较低温形成的非晶性硅半导体(非晶硅)，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种溅射靶材，其特征在于，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体含有具有ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）所示同系结晶结构的化合物，Ｘ射线衍射中２θ＝６２～６３度之间的峰为ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）的最大峰的３％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野公规，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP