氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法技术

本发明专利技术是提供可抑制使用溅射法的氧化物半导体膜成膜时产生异常放电，可连续稳定成膜的溅射靶。提供具有稀土氧化物Ｃ型的结晶结构、表面无白点（溅射靶表面上所产生的凹凸等的外观不良）的溅射靶用的氧化物。本发明专利技术提供具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体，铟（Ｉｎ）、镓（Ｇａ）及锌（Ｚｎ）的组成量为以原子％表示满足下式。Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．７５

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及由含有具有方铁锰矿结构的氧化铟与以组成式^i2Ga2SiO7表示的 Yb2Fe3O7结构化合物的氧化物烧结体而成的适合形成氧化物薄膜的溅射靶及其制造方法。另外，本专利技术还涉及由含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物、且含有具有方铁 锰矿结构的氧化铟与同系结构化合物LfeO3 (ZnO) m (m为1 4的自然数)的氧化物烧结体 构成的适合形成氧化物半导体膜的溅射靶及其制造方法。另外，本专利技术涉及具有稀土氧化物C型的结晶结构的烧结体。另外，本专利技术涉及具有稀土氧化物C型的结晶结构的靶，特别是适合形成通过溅 射所产生的非晶质氧化物膜的靶及其制造方法。
技术介绍
作为由金属复合氧化物所构成的氧化物半导体膜，例如有由h、fe及Si的氧化物 (IGZO)所构成的氧化物半导体膜(以下也称为氧化物薄膜)。使用IGZO溅射靶进行成膜 所成的氧化物半导体膜因迁移率大于非晶质Si膜为特征而倍受瞩目。此种氧化物半导体 膜因迁移率大于非晶质Si膜及可见光透过性高等的原因，而被期待应用于液晶显示装置、 薄膜电致发光显示装置等的开关元件(薄膜晶体管)等，而受瞩目。IGZO溅射靶是以本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种烧结体，其是具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体，其中，铟（Ｉｎ）、镓（Ｇａ）及锌（Ｚｎ）的组成量以原子％计满足下式，Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．７５。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛浩和，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP