【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及偏压溅射装置，尤其涉及具有自转公转式基板支架的偏压溅射装置。
技术介绍
关于通常使用的偏压溅射装置，可以构成为分别对在真空容器内相对配置的基板 侧和靶材施加溅射用电力，在基板与靶材之间产生等离子体，在以离子的方式溅射靶状成 膜物质的同时形成薄膜(例如，参照专利文献1)。另外，关于偏压溅射装置，为了提高光学器件、半导体器件等薄膜器件的品质和合 格率而实施了各种对策。例如，作为尝试削减制造成本的方法，通过设置防粘板来缩短去除真空容器内所 积蓄的薄膜材料所需的时间(真空室保养时间)，实现设备工作率的提高(例如，参照专利 文献2)。另外，使用了下述方法根据使用了膜厚监测器的实时膜厚测量结果对成膜时间 和成膜功率进行控制来实现膜厚稳定化的方法；以及一边使基板支架自转公转一边成膜的 方法，或尝试了在基板支架与靶材之间设置校正板机构来高精度地控制膜厚(例如，参照 专利文献3至6)。此外，将使用高频(RF)电源来取代直流(DC)电源作为溅射用电源的方式称作RF 偏压溅射，可以通过使用高频电源来溅射金属以及绝缘物质(例如，参照专利文献1、2、4)。专利文献1 日本...
【技术保护点】
一种偏压溅射装置，该偏压溅射装置具备：基板支架，其具有自转公转机构，用于在真空容器内支承基板；基板电极，其设置在该基板支架侧；以及靶材，其与上述基板相对地配置，该偏压溅射装置对上述基板电极和上述靶材施加电力，在上述基板电极与上述靶材之间产生等离子体，在上述基板表面形成薄膜， 该偏压溅射装置的特征在于， 仅在支承在上述基板支架上的上述基板的各个背面侧，具备上述基板电极， 上述基板电极与上述基板以隔开规定距离的方式配置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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